特許
J-GLOBAL ID：201103083112883289
電子材料の洗浄方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
内山 充
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-023515
公開番号（公開出願番号）：特開2002-231677
特許番号：特許第4560966号
出願日： 2001年01月31日
公開日（公表日）： 2002年08月16日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 オゾン濃度15〜50mg/Lの温度20°C以上のオゾン含有水を用いて電子材料の表面に付着した有機物を洗浄によって除去する方法であって、オゾン含有水のオゾン濃度cmg/L、温度t°Cとしたとき、100≧c+t>45を満たす条件で洗浄することにより、下記の指紋除去率測定試験における指紋除去率に換算して80%以上の指紋除去率に相当する付着有機物の除去を行うことを特徴とする電子材料の洗浄方法。
指紋除去率測定試験:
1.直径6インチのシリコンウェーハに指を押しつけることにより、表面を指紋の有機物で汚染したシリコンウェーハを調製した。
2.別に、エジェクターに純水2L/分を送り込み、無声放電によるオゾン発生器で発生させたオゾン濃度200g/Nm3のオゾン含有ガス1NL/分を吸い込ませ、オゾン含有水を調製した。得られたオゾン含有水を純水で希釈して、オゾン濃度cmg/Lの洗浄水を調製した。
3.表面を指紋の有機物で汚染したシリコンウェーハの指紋の付着面積を顕微鏡観察により測定したのち、温度t°Cの洗浄水に10分間浸漬して洗浄を行い、洗浄後の指紋の付着面積を測定し、洗浄前後の指紋の付着面積から、指紋の除去率を算出した。
IPC (4件)：
H01L 21/304 ( 200 6.01)
, B08B 3/08 ( 200 6.01)
, B08B 3/10 ( 200 6.01)
, C11D 7/02 ( 200 6.01)
H01L 21/304 647 Z
, B08B 3/08 Z
, B08B 3/10 Z
, C11D 7/02
