特許
J-GLOBAL ID：201103083186453200
圧電デバイス用基板の製造方法と圧電デバイス用基板、及びこれを用いた表面弾性波デバイス
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (7件)：
志賀 正武
, 高橋 詔男
, 渡邊 隆
, 青山 正和
, 鈴木 三義
, 西 和哉
, 村山 靖彦
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-165114
公開番号（公開出願番号）：特開2001-348299
特許番号：特許第3911967号
出願日： 2000年06月01日
公開日（公表日）： 2001年12月18日
請求項（抜粋）：
【請求項1】ランガサイト単結晶を育成して圧電デバイス用基板に加工する圧電デバイス用基板の製造方法であって、
添付図面1に示すB(La2O3が48.50重量%、Ga2O3が46.32重量%、SiO2が5.18重量%)、
点C(La2O3が48.50重量%、Ga2O3が47.50重量%、SiO2が4.00重量%)、
点D(La2O3が47.50重量%、Ga2O3が47.50重量%、SiO2が5.00重量%)で囲まれる組成範囲内で秤量してルツボ内で融解させ、該ルツボ内からランガサイトの単結晶を引き上げ育成することを特徴とする圧電デバイス用基板の製造方法。
IPC (8件)：
C30B 29/34 ( 200 6.01)
, C30B 15/00 ( 200 6.01)
, C01B 33/20 ( 200 6.01)
, H01L 41/09 ( 200 6.01)
, H01L 41/18 ( 200 6.01)
, H01L 41/24 ( 200 6.01)
, H03H 3/08 ( 200 6.01)
, H03H 9/25 ( 200 6.01)
C30B 29/34 Z
, C30B 15/00 Z
, C01B 33/20
, H01L 41/08 C
, H01L 41/18 101 A
, H01L 41/22 A
, H03H 3/08
, H03H 9/25 C
