特許

J-GLOBAL ID：201103083221202348

薄膜製造方法及び薄膜製造装置

発明者： 宮地 栄 ,  大谷 篤史 ,  片山 雅之
出願人/特許権者： 株式会社デンソー
代理人 (3件)： 伊藤 洋二 ,  三浦 高広 ,  水野 史博
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-032620
公開番号（公開出願番号）：特開2001-220677
特許番号：特許第4174941号
出願日： 2000年02月03日
公開日（公表日）： 2001年08月14日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 薄膜が成膜される成膜室(10)に対して原料ガスの供給と該原料ガスを前記成膜室から排気するためのパージガスの供給とを交互に繰り返して行う薄膜製造方法において、 前記原料ガスの供給を行うときは、前記成膜室内の圧力を前記パージガスの供給を行うときよりも大きく、前記パージガスの供給を行うときは、前記成膜室内の圧力を前記原料ガスの供給を行うときよりも小さくすることを特徴とする薄膜製造方法。

IPC (4件)：

C23C 16/455 ( 200 6.01) ,  H01L 21/205 ( 200 6.01) ,  C30B 25/02 ( 200 6.01) ,  C30B 29/20 ( 200 6.01)

FI (4件)：

C23C 16/455 ,  H01L 21/205 ,  C30B 25/02 Z ,  C30B 29/20

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 結晶成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-344581   出願人：富士通株式会社