特許
J-GLOBAL ID：201103083474072670
排ガス処理装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
筒井 雅人
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-280932
公開番号（公開出願番号）：特開2002-058961
特許番号：特許第3927359号
出願日： 2000年08月12日
公開日（公表日）： 2002年02月26日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体ウエーハの成膜プロセスにおいて排出されるPFCガスを流入させるための容器を備えている、排ガス処理装置であって、
上記容器内に設けられた自己発熱性を有する電磁誘導用コイルと、
上記電磁誘導用コイルの内側に設けられたガス排出筒を兼ねた金属製の円筒と、を備えており、
上記容器内に流入したPFCガスは、上記電磁誘導用コイルの自己発熱によって予備加熱されてから上記円筒内に導かれ、かつこの円筒は、上記電磁誘導用コイルの電磁誘導作用により発熱し、この発熱により上記PFCガスがさらに加熱されて熱分解されるように構成されており、
上記容器は、その上部側面からPFCガスが内部に流入するように構成されており、
上記ガス排出筒を兼ねた金属製の円筒の外側には、上記容器の上蓋に吊り下げ支持されて上底を有する金属製の追加の円筒が設けられて、この追加の円筒と上記円筒との間に第1の隙間が形成されており、
上記電磁誘導用コイルは、上記追加の円筒の外周壁に絶縁碍子を介して金属線を巻き付けて形成され、かつ上記容器との間に第2の隙間を形成するように設けられており、
上記容器内に流入したPFCガスは、上記第2の隙間を下方に向けて通過することにより予備加熱された後に、上記第1の隙間をその下部から上方に向けて通過し、さらに上記ガス排出筒を兼ねた金属製の円筒の内部をその上部から下方に向けて通過することにより加熱されるように構成されていることを特徴とする、排ガス処理装置。
IPC (5件)：
B01D 53/68 ( 200 6.01)
, F23G 7/06 ( 200 6.01)
, H01L 21/205 ( 200 6.01)
, H01L 21/3065 ( 200 6.01)
, H05B 6/10 ( 200 6.01)
B01D 53/34 134 C
, F23G 7/06 ZAB D
, F23G 7/06 104
, H01L 21/205
, H01L 21/302 101 G
, H05B 6/10 301
