特許
J-GLOBAL ID：201103084047270475

半導体ウエハの評価方法

発明者：
劉 国林

劉 国林 について


出願人/特許権者：
沖電気工業株式会社

沖電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 大西 健治
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-078235
公開番号（公開出願番号）：特開2001-267385
特許番号：特許第3685678号
出願日： 2000年03月21日
公開日（公表日）： 2001年09月28日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 第1のシリコン層、前記第1のシリコン層上に位置する酸化膜、前記酸化膜上に位置する第2のシリコン層とからなる基板を準備する工程と、 前記第2のシリコン層を除去し、前記酸化膜を露出させる研磨工程と、 前記酸化膜中のシリコン部分をエッチング除去し、前記酸化膜中に第1の開孔部を形成する第1のエッチング工程と、 前記第1の開孔部下の前記第1のシリコン層の一部をエッチング除去し、前記第1のシリコン層中に第2の開孔部を形成する第2のエッチング工程と、 前記第1、第2の開孔部を計測し評価する工程とを有することを特徴とする半導体ウエハの評価方法。
IPC (6件)：
H01L 21/66 ,  G01N 1/28 ,  G01N 1/32 ,  G01N 23/225 ,  G01R 31/16 ,  H01L 27/12
FI (8件)：
H01L 21/66 Q ,  H01L 21/66 Z ,  G01N 1/32 B ,  G01N 23/225 ,  G01R 31/16 ,  H01L 27/12 E ,  H01L 27/12 T ,  G01N 1/28 G
引用特許：
審査官引用 (4件)
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