半導体メモリ装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-012268
公開番号（公開出願番号）：特開平11-273345
特許番号：特許第3239873号
出願日： 1999年01月20日
公開日（公表日）： 1999年10月08日
請求項（抜粋）：

【請求項1】複数のセルアレイと、各セルアレイのセルをワード線を介し行方向に選択する複数のデコーダと、各セルアレイ間に各個に配置されるとともに、隣接する列方向の各セルアレイのセルに対しそれぞれビット線を介し千鳥状に接続される各センスアンプを有する複数のセンスアンプ列と、複数のアドレスビットに基づき前記センスアンプ列内のセンスアンプを選択する選択信号を出力する複数のセンスアンプ選択回路とを有する半導体メモリ装置において、前記センスアンプ選択回路に入力される複数のアドレスビットのうち、下位の所定の複数のアドレスビットはグレーコード順に配列され、前記デコーダのワード線選択は、該デコーダに隣接するセンスアンプ選択回路からの選択信号の論理積出力に基づき行われることを特徴とする半導体メモリ装置。

IPC (3件)：

G11C 11/408 , G11C 11/401 , G11C 11/409

FI (3件)：

G11C 11/34 354 B , G11C 11/34 353 E , G11C 11/34 362 H

引用特許：

審査官引用 (2件)

半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-312990 出願人：東芝マイクロエレクトロニクス株式会社, 株式会社東芝
特開平2-078094

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