特許
J-GLOBAL ID:201103084586681284
半導体装置、アクティブマトリクス型表示装置、液晶表示装置、エレクトロルミネッセンス表示装置、ビデオカメラ、デジタルカメラ、プロジェクタ、ゴーグル型ディスプレイ、カーナビゲーションシステム、パーソナルコンピュータ又は携帯型情報端末
発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-327482
公開番号(公開出願番号):特開2001-094113
特許番号:特許第4159712号
出願日: 1999年11月17日
公開日(公表日): 2001年04月06日
請求項(抜粋):
【請求項1】下地膜上にnチャネル型薄膜トランジスタ及びpチャネル型薄膜トランジスタを有し、
前記nチャネル型薄膜トランジスタは、第1の半導体層、前記第1の半導体層上のゲート絶縁膜、及び前記ゲート絶縁膜上の第1のゲート電極を有し、
前記pチャネル型薄膜トランジスタは、第2の半導体層、前記第2の半導体層上の前記ゲート絶縁膜、及び前記ゲート絶縁膜上の第2のゲート電極を有し、
前記第1のゲート電極及び前記第2のゲート電極は、端部にテーパー部を有し、
前記第1の半導体層は、第1のチャネル形成領域、一対の第1の不純物領域、一対の第2の不純物領域、及び一対の第3の不純物領域を有し、
前記第2の半導体層は、第2のチャネル形成領域、及び一対の第4の不純物領域を有し、
一対の前記第2の不純物領域は前記第1のチャネル形成領域を間に挟んで設けられ、
一対の前記第3の不純物領域は前記第1のチャネル形成領域及び一対の前記第2の不純物領域を間に挟んで設けられ、
一対の前記第1の不純物領域は前記第1のチャネル形成領域、一対の前記第2の不純物領域、及び一対の前記第3の不純物領域を間に挟んで設けられ、
一対の前記第4の不純物領域は前記第2のチャネル形成領域を間に挟んで設けられ、
前記第1のチャネル形成領域は前記第1のゲート電極と重なり、
一対の前記第2の不純物領域は、前記第1のゲート電極のテーパー部と重なり、
一対の前記第3の不純物領域は、前記第1のゲート電極と重ならず、
一対の前記第1の不純物領域、一対の前記第2の不純物領域、及び一対の前記第3の不純物領域は、n型を示し、
一対の前記第1の不純物領域は、一対の前記第2の不純物領域及び一対の前記第3の不純物領域よりもn型を付与する不純物の濃度が高く、ソース領域及びドレイン領域として機能し、
前記第2のチャネル形成領域は前記第2のゲート電極と重なり、
一対の前記第4の不純物領域はp型を示し、ソース領域及びドレイン領域として機能することを特徴とする半導体装置。
IPC (8件):
H01L 29/786 ( 200 6.01)
, H01L 21/336 ( 200 6.01)
, H01L 29/41 ( 200 6.01)
, H01L 29/423 ( 200 6.01)
, H01L 29/49 ( 200 6.01)
, H01L 21/8238 ( 200 6.01)
, H01L 27/092 ( 200 6.01)
, H01L 27/08 ( 200 6.01)
FI (7件):
H01L 29/78 617 K
, H01L 29/78 616 A
, H01L 29/78 613 A
, H01L 29/44 S
, H01L 29/58 G
, H01L 27/08 321 D
, H01L 27/08 331 E
引用特許:
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