特許
J-GLOBAL ID：201103084924681538
ナノギャップ電極の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小越 勇
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-276651
公開番号（公開出願番号）：特開2011-127222
出願日： 2010年12月13日
公開日（公表日）： 2011年06月30日
要約：
【課題】工程数の少ない手法でギャップ間距離が小さく、さらに様々な電極形状が調製可能であるナノギャップ電極の製造方法を得る。【解決手段】先端が90度又は鋭角である角を備えた電極材料を基板上に形成し、この電極材料にレーザー光を照射して、鋭角の角の一部を切り離して微小電極を形成すると共に該微小電極と残余の電極本体との間にナノスケールのギャップを形成するナノギャップ電極の製造方法。基板上に10〜100μmのサイズのポリマー又はセラミックスビーズを均一に展開し、この上に電極材料をPVD法又はCVD法により被覆し、このビーズを除去することにより基板上に三角錐の電極材料を残存させ、この三角錐の電極材料にレーザー光を照射し、鋭角の角の一部を切り離して微小電極を形成し、該微小電極と残余の電極本体との間にナノスケールのギャップを形成するナノギャップ電極の製造方法。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
先端が90度又は鋭角である角を備えた電極材料を基板上に形成し、この電極材料にレーザー光を照射して、鋭角の角の一部を切り離して微小電極を形成すると共に、該微小電極と残余の電極本体との間に、ナノスケールのギャップを形成することを特徴とするナノギャップ電極の製造方法。
IPC (4件)：
C23C 14/04
, B82B 3/00
, C23C 16/04
, H01L 49/02
C23C14/04 Z
, B82B3/00
, C23C16/04
, H01L49/02
4K029AA09
, 4K029AA24
, 4K029BA04
, 4K029BA05
, 4K029BA13
, 4K029BA21
, 4K029BB03
, 4K029BC03
, 4K029CA01
, 4K029GA00
, 4K029HA03
, 4K030BA01
, 4K030CA05
, 4K030CA06
, 4K030CA11
, 4K030LA11
