特許
J-GLOBAL ID:201103085395357890
半導体装置の製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件):
綿貫 隆夫
, 堀米 和春
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-243519
公開番号(公開出願番号):特開2003-060123
特許番号:特許第3689355号
出願日: 2001年08月10日
公開日(公表日): 2003年02月28日
請求項(抜粋):
【請求項1】 配線パターンが設けられた基板に半導体素子を搭載し、半導体素子と前記配線パターンのボンディング部とをワイヤボンディングにより電気的に接続し、前記半導体素子を樹脂封止して形成する半導体装置の製造方法において、 前記基板として、前記半導体素子を収容する搭載穴を厚さ方向に貫通して設けた基板を使用し、前記基板の一方の面に前記搭載穴の開口部を塞ぐ保護テープを貼着した後、 前記搭載穴に半導体素子を位置合わせし、半導体素子の電極端子形成面を接着面側として前記保護テープに半導体素子を接着し、 保護テープに半導体素子を支持した状態で半導体素子を裏面側から研削して半導体素子の厚さを薄くした後、 前記樹脂封止を含む前記ワイヤボンディング以降の加工を施すことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (5件):
H01L 23/12
, H01L 23/28
, H01L 25/065
, H01L 25/07
, H01L 25/18
FI (3件):
H01L 23/12 501 W
, H01L 23/28 Z
, H01L 25/08 B
引用特許: