特許

J-GLOBAL ID：201103085468995718

光電変換素子、光電変換素子材料、光センサ、及び撮像素子

発明者： 養父 克行 ,  野村 公篤 ,  ▲濱▼野 光正 ,  三ッ井 哲朗
出願人/特許権者： 富士フイルム株式会社
代理人 (2件)： 高松 猛 ,  矢澤 清純
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-225522
公開番号（公開出願番号）：特開2011-077198
出願日： 2009年09月29日
公開日（公表日）： 2011年04月14日
要約：

【課題】高光吸収率、高光電変換効率、低暗電流性を示す光電変換素子を提供する。【解決手段】導電性薄膜、少なくとも1つの材料からなる有機光電変換膜、透明導電性薄膜を含んでなる光電変換素子において、該有機光電変換膜が下記一般式(1)で示される化合物及びn型半導体を含む光電変換素子。一般式(1)(式中、R1、R2は、それぞれ独立に、置換アリール基、無置換アリール基、置換ヘテロアリール基、又は無置換ヘテロアリール基を表す。R3〜R11は、それぞれ独立に水素原子又は置換基を表す。mは0又は1を表し、nは0以上の整数を表す。R1とR2、R3とR4、R3とR5、R5とR6、R6とR8、R7とR8、R7とR9、R10とR11はそれぞれ互いに結合して環を形成してもよい。nが2以上である場合、複数のR7、R8のうちR7どうし、R8どうし、及びR7とR8は、それぞれ互いに結合して環を形成してもよい。)【選択図】なし

請求項（抜粋）：

導電性膜、少なくとも1種の有機材料を含む有機光電変換膜、及び透明導電性膜を有する光電変換素子であって、前記有機光電変換膜が下記一般式(1)で表される化合物及びn型有機半導体を含む光電変換素子。 一般式(1)

IPC (1件)：

H01L 31/00

FI (1件)：

H01L31/00 B

Fターム (7件)：

5F088AB11 ,  5F088BA01 ,  5F088BB03 ,  5F088CB06 ,  5F088EA04 ,  5F088FA04 ,  5F088GA04

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 光電変換素子及び撮像素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-013661   出願人：富士フイルム株式会社
• 非晶質の有機1,3,2-ジオキサボリン発光体、その製造方法およびその使用
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2002-564531   出願人：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト
• 光電変換素子及び太陽電池
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-045663   出願人：コニカミノルタビジネステクノロジーズ株式会社
• 有機太陽電池
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-110653   出願人：金沢大学長, 株式会社日本触媒