半導体装置およびその作製方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-028340
公開番号（公開出願番号）：特開2011-192974
出願日： 2011年02月14日
公開日（公表日）： 2011年09月29日
要約：

【課題】トランジスタの微細化を達成し、電界緩和がなされた、酸化物半導体を用いた半導体装置を提供することを課題の一とする。【解決手段】ゲート電極の線幅を微細化し、ソース電極層とドレイン電極層の間隔を短縮する。ゲート電極をマスクとして自己整合的に希ガスを添加し、チャネル形成領域に接する低抵抗領域を酸化物半導体層に設けることができるため、ゲート電極の幅、即ちゲート配線の線幅を小さく加工しても位置精度よく低抵抗領域を設けることができ、トランジスタの微細化を実現できる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

絶縁表面上に酸化物半導体層を形成し、前記酸化物半導体層上に一部接するソース電極層及びドレイン電極層を形成し、前記酸化物半導体層、前記ソース電極層、及び前記ドレイン電極層上に接する絶縁層を形成し、前記絶縁層上に前記酸化物半導体層と重なるゲート電極を形成し、前記ゲート電極、前記ソース電極層、及び前記ドレイン電極層をマスクとして自己整合的に前記絶縁層を介して前記酸化物半導体層の一部に希ガスを添加することを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (8件)：

H01L 21/336 , H01L 29/786 , H01L 21/824 , H01L 27/115 , H01L 27/108 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , G02F 1/136

FI (9件)：

H01L29/78 616L , H01L29/78 618B , H01L29/78 616S , H01L29/78 627F , H01L29/78 616M , H01L27/10 434 , H01L27/10 321 , H01L29/78 371 , G02F1/1368

Fターム (137件)：

2H092GA59 , 2H092JA24 , 2H092JA28 , 2H092JA31 , 2H092JA34 , 2H092JA37 , 2H092JA41 , 2H092JB13 , 2H092JB57 , 2H092KA08 , 2H092KA12 , 2H092KA18 , 2H092MA05 , 2H092MA13 , 2H092MA15 , 2H092MA17 , 2H092MA29 , 2H092NA07 , 2H092NA23 , 2H092NA26 , 2H092PA06 , 5F083AD69 , 5F083EP22 , 5F083EP76 , 5F083EP77 , 5F083GA01 , 5F083GA02 , 5F083GA05 , 5F083GA06 , 5F083GA09 , 5F083GA11 , 5F083GA19 , 5F083GA21 , 5F083GA27 , 5F083HA02 , 5F083HA06 , 5F083JA02 , 5F083JA03 , 5F083JA05 , 5F083JA19 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA44 , 5F083LA02 , 5F083PR01 , 5F083PR22 , 5F083PR29 , 5F083PR33 , 5F083PR34 , 5F083PR36 , 5F083ZA21 , 5F101BA17 , 5F101BD02 , 5F101BD30 , 5F101BD33 , 5F101BD34 , 5F101BD39 , 5F101BE02 , 5F101BE05 , 5F101BF02 , 5F101BF03 , 5F101BF05 , 5F101BF09 , 5F101BH09 , 5F101BH16 , 5F101BH19 , 5F110AA01 , 5F110AA06 , 5F110AA13 , 5F110BB01 , 5F110BB05 , 5F110BB12 , 5F110CC01 , 5F110CC02 , 5F110CC05 , 5F110CC06 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110DD24 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF28 , 5F110FF36 , 5F110GG01 , 5F110GG07 , 5F110GG28 , 5F110GG35 , 5F110GG43 , 5F110GG58 , 5F110HJ01 , 5F110HJ12 , 5F110HJ13 , 5F110HJ18 , 5F110HJ21 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK21 , 5F110HK33 , 5F110HL07 , 5F110HM02 , 5F110HM12 , 5F110HM13 , 5F110NN02 , 5F110NN03 , 5F110NN05 , 5F110NN22 , 5F110NN25 , 5F110NN27 , 5F110NN33 , 5F110NN34 , 5F110NN36 , 5F110NN72 , 5F110PP01 , 5F110PP02 , 5F110PP10 , 5F110PP13 , 5F110PP29 , 5F110QQ01 , 5F110QQ06 , 5F110QQ11 , 5F110QQ19

引用特許：

出願人引用 (1件)

薄膜トランジスタアレイ、その製造方法及び液晶表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-217273 出願人：日本電気株式会社, NEC液晶テクノロジー株式会社

審査官引用 (1件)

薄膜トランジスタアレイ、その製造方法及び液晶表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-217273 出願人：日本電気株式会社, NEC液晶テクノロジー株式会社

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