特許

J-GLOBAL ID：201103085846994814

化合物半導体装置及びその製造方法

発明者： 高橋 剛
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-165974
公開番号（公開出願番号）：特開2011-023480
出願日： 2009年07月14日
公開日（公表日）： 2011年02月03日
要約：

【課題】バックワードダイオードの耐圧を向上させることができる化合物半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】化合物半導体装置には、Sbを含むp型化合物半導体層101と、p型化合物半導体層101に接合され、InPを含むn型化合物半導体層102と、が設けられている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

Sbを含むp型化合物半導体層と、 前記p型化合物半導体層に接合され、InPを含むn型化合物半導体層と、 を有することを特徴とする化合物半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 29/861 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/06

FI (6件)：

H01L29/91 H ,  H01L29/91 F ,  H01L29/91 D ,  H01L29/80 H ,  H01L29/80 Q ,  H01L27/06 F

Fターム (18件)：

5F102GA14 ,  5F102GA15 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ04 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM08 ,  5F102GN04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR04 ,  5F102GR09 ,  5F102GS02 ,  5F102GT03 ,  5F102HC01 ,  5F102HC15

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 中間層を含む半導体ヘテロ接合
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-027067   出願人：アジレント・テクノロジーズ・インク