特許
J-GLOBAL ID：201103086048454181
微細配線パターンの形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
蔦田 璋子
, 蔦田 正人
, 中村 哲士
, 富田 克幸
, 夫 世進
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-006942
公開番号（公開出願番号）：特開平11-317378
特許番号：特許第4038293号
出願日： 1999年01月13日
公開日（公表日）： 1999年11月16日
請求項（抜粋）：
【請求項1】ターゲット材料で構成された第1の電極、及び、この裏面側に配置されるスパッタマグネットを含むスパッタ装置にて、その第2の電極に絶縁基板を配置し、この絶縁基板上にアルミニウムまたはアルミニウムを70原子%以上含む合金からなる薄膜をスパッタリングにより堆積させる工程と、前記薄膜をパターニングして微細配線パターンを形成する工程とを備えた微細配線パターンの形成方法において、
前記スパッタリングの際、スプラッシュの発生を防止すべく、第1の電極と第2の電極との間の電位差が570V以下の条件に設定され、電力密度が少なくとも22W/cm2に設定され、スパッタリング雰囲気がアルゴンであり、その圧力を1.3Pa〜1.4Paとしたことを特徴とする微細配線パターンの形成方法。
IPC (8件)：
H01L 21/285 ( 200 6.01)
, H01L 21/28 ( 200 6.01)
, H01L 21/3205 ( 200 6.01)
, H01L 29/786 ( 200 6.01)
, C23C 14/14 ( 200 6.01)
, C23C 14/34 ( 200 6.01)
, G02F 1/1368 ( 200 6.01)
, G09F 9/30 ( 200 6.01)
H01L 21/285 S
, H01L 21/28 301 R
, H01L 21/88 B
, H01L 29/78 612 C
, C23C 14/14 B
, C23C 14/34 R
, G02F 1/136
, G09F 9/30 337
