特許
J-GLOBAL ID：201103086054263312
窒化物半導体発光素子および窒化物半導体発光素子の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (7件)：
深見 久郎
, 森田 俊雄
, 仲村 義平
, 堀井 豊
, 酒井 將行
, 荒川 伸夫
, 佐々木 眞人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-250370
公開番号（公開出願番号）：特開2011-096893
出願日： 2009年10月30日
公開日（公表日）： 2011年05月12日
要約：
【課題】発光特性の優れた発光層を有する窒化物半導体発光素子を提供する。【解決手段】本発明の窒化物半導体発光素子は、基板と、該基板上に形成されたn型窒化物半導体層と、該n型窒化物半導体層上に形成された発光層と、該発光層上に形成されたp型窒化物半導体層とを含み、n型窒化物半導体層は、第1のn型窒化物半導体層と、中間層と、第2のn型窒化物半導体層とを前記基板側からこの順に含み、該中間層は、SiNからなり、該発光層はInを含み、発光層におけるInは、下記(1)式で算出されるInの局在化の割合σの最大値が50meV以下であることを特徴とする。 E(T)=Em(0〜10)-αT2/(T+β)-σ/(kBT) (1)式ただし、E(T)は、任意の絶対温度における発光層のバンドギャップであり、Em(0〜10)は、絶対温度が0K〜10Kにおける発光層のバンドギャップである。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
基板と、
前記基板上に形成されたn型窒化物半導体層と、
前記n型窒化物半導体層上に形成された発光層と、
前記発光層上に形成されたp型窒化物半導体層とを含み、
前記n型窒化物半導体層は、第1のn型窒化物半導体層と、中間層と、第2のn型窒化物半導体層とを前記基板側からこの順に含み、
前記中間層は、SiNからなり、
前記発光層はInを含み、
前記発光層におけるInは、下記(1)式で算出されるInの局在化エネルギーσの最大値が50meV以下である、窒化物半導体発光素子。
E(T)=Em(0〜10)-αT2/(T+β)-σ/(kBT) (1)式
ただし、(1)式中の各定数は、以下に示すとおりである。
E(T):任意の絶対温度における発光層のバンドギャップ
Em(0〜10):絶対温度が0K〜10Kにおける発光層のバンドギャップ
α、β:Varshni's fitting parameters
T:絶対温度(K)
kB:ボルツマン定数
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L33/00 186
, H01S5/343 610
5F041AA03
, 5F041CA04
, 5F041CA05
, 5F041CA40
, 5F041CA65
, 5F041CA74
, 5F041CA88
, 5F041CB36
, 5F173AG20
, 5F173AH22
, 5F173AP05
, 5F173AP23
, 5F173AP33
, 5F173AQ14
, 5F173AQ16
, 5F173AR23
