特許

J-GLOBAL ID：200903074341709163

半導体構造

発明者： 熊倉 一英 ,  廣木 正伸 ,  牧本 俊樹 ,  小林 康之 ,  山内 喜晴 ,  西田 敏夫 ,  赤坂 哲也 ,  小林 直樹
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-164018
公開番号（公開出願番号）：特開2004-014674
出願日： 2002年06月05日
公開日（公表日）： 2004年01月15日
要約：

【課題】均一に転位密度を減少させた高純度の半導体の結晶を、従来より容易に製造できるようにする。【解決手段】サファイア(酸化アルミニウムの結晶)からなる基板101上に形成された低温で気相成長させた窒化ガリウム(GaN)からなる緩衝層102と、緩衝層102上に高温で気相成長させた窒化ガリウムからなる下部結晶層103と、下部結晶層103上に形成されたSi3N4からなり一部に開口部104aを備えた中間層104と、中間層104上に高温で気相成長させた窒化ガリウムからなる上部結晶層105とを備える。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

結晶構造を有する基板と、 この基板の上に形成された絶縁体からなり一部に開口部を備えた中間層と、 この中間の層の上に形成された半導体からなる結晶層と を備え、 前記結晶層は、前記開口部に露出した前記基板の表面より結晶成長したものである ことを特徴とする半導体構造。

IPC (4件)：

H01L21/205 ,  H01L29/205 ,  H01L33/00 ,  H01S5/323

FI (4件)：

H01L21/205 ,  H01L29/205 ,  H01L33/00 C ,  H01S5/323 610

Fターム (34件)：

5F041AA40 ,  5F041CA04 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA64 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB15 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AB19 ,  5F045AC07 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045BB12 ,  5F045CA07 ,  5F045CA09 ,  5F045CB01 ,  5F045CB02 ,  5F045DA53 ,  5F045DA63 ,  5F045DB01 ,  5F073AA55 ,  5F073CA07 ,  5F073CB04 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073DA04 ,  5F073EA29

引用特許：

審査官引用 (3件)

• GaN系結晶成長用基板およびその用途
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-005682   出願人：三菱電線工業株式会社
• 窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-228320   出願人：酒井士郎, ナイトライド・セミコンダクター株式会社
• 結晶成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-217911   出願人：ソニー株式会社