特許

J-GLOBAL ID：201103086520585279

真空紫外光CVDによる層間絶縁膜の製造方法

発明者： 歳川 清彦 ,  本山 理一 ,  本川 洋右 ,  八木 裕輔 ,  宮野 淳一 ,  横山 哲郎 ,  市木 豊
出願人/特許権者： 宮崎沖電気株式会社 ,  有限会社宮崎マシンデザイン ,  沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 清水 守 (外2名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-260358
公開番号（公開出願番号）：特開2002-075988
特許番号：特許第3455171号
出願日： 2000年08月30日
公開日（公表日）： 2002年03月15日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 真空紫外光CVDによる層間絶縁膜の製造方法において、光源にキセノンエキシマランプを用い、TEOS有機ソースを原材料に、25°C〜350°Cの基板温度にて添加ガスとしてOを含むガスを添加してSiOCH膜を成膜後、Oを含むガスを止めTEOSのみで成膜することを特徴とする真空紫外光CVDによる層間絶縁膜の製造方法。

IPC (1件)：

H01L 21/316

FI (2件)：

H01L 21/316 X ,  H01L 21/316 P

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 光気相反応方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-262785   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 特開昭63-105970
  
• 絶縁膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-087478   出願人：佐々木亘, 黒澤宏, 横谷篤至, 宮崎沖電気株式会社, 清本鐵工株式会社, 宮崎ダイシンキャノン株式会社, 沖電気工業株式会社
• 特開平4-188622
  

審査官引用 (4件)

• 光気相反応方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-262785   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 特開昭63-105970
  
• 絶縁膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-087478   出願人：佐々木亘, 黒澤宏, 横谷篤至, 宮崎沖電気株式会社, 清本鐵工株式会社, 宮崎ダイシンキャノン株式会社, 沖電気工業株式会社
• 特開昭63-105970