特許

J-GLOBAL ID：201103086650579327

処理室をドライクリーニングするための装置及び方法

発明者： ザキ サレール ,  リチャード エイ、コムナル
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社 ,  トーキョー エレクトロン アリゾナ インコーポレイテッド
代理人 (4件)： 浅村 皓 ,  浅村 肇 ,  小堀 貞文 ,  池田 幸弘
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-212044
公開番号（公開出願番号）：特開2001-089860
特許番号：特許第4519280号
出願日： 2000年06月08日
公開日（公表日）： 2001年04月03日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 基体を処理するための装置の室の内部表面から副生成物をクリーニングするための方法において、 金属ハロゲン化物前駆物質を用いた化学蒸着によって前記室で少なくとも一種の基体上に金属膜を蒸着することにより前記基体を処理してそれにより金属及びハロゲンに富む金属残留膜が副生成物として前記室の前記内部表面に形成され、 前記室中へ三フッ化塩素を含有するクリーニングガスを導入し、 前記室中へ酸化剤含有酸化性ガスを導入し、 選択された温度及び選択された圧力を有する環境を前記室内に確立し、それにより前記室中で前記クリーニングガスと前記酸化性ガスとを前記金属残留膜と反応させ揮発性反応生成物を生成し、 前記揮発性反応生成物を前記室から排出する、諸段階を含む、上記方法。

IPC (4件)：

C23C 16/44 ( 200 6.01) ,  H01L 21/205 ( 200 6.01) ,  H01L 21/285 ( 200 6.01) ,  H01L 21/3065 ( 200 6.01)

FI (4件)：

C23C 16/44 J ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/285 C ,  H01L 21/302 101 H

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平3-031479
  
• CVD-Ti成膜チャンバーのクリーニング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-101199   出願人：東京エレクトロン株式会社