特許
J-GLOBAL ID：201103086731954890
PEALDによってSi-N結合を有するストレス調節された誘電体膜を形成する方法
発明者：
,
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
堀 明▲ひこ▼
, 井上 克己
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-153754
公開番号（公開出願番号）：特開2011-023718
出願日： 2010年07月06日
公開日（公表日）： 2011年02月03日
要約：
【課題】プラズマ励起原子層の成膜(PEALD)によって半導体基板上にSi-N結合を有するストレス調節された誘電体膜を形成する方法を提供する。【解決手段】本方法は、窒素及び水素を含有する反応ガス及び添加ガスを、半導体基板が中に配置された反応空間に導入する工程と、高周波RFパワー入力源と低周波RFパワー入力源を使用してRFパワーを反応空間に印加する工程と、プラズマが励起している反応空間に水素を含有するシリコン前駆体をパルスの状態で導入し、このことにより基板上にSi-N結合を有するストレス調節された誘電体膜を形成する工程を含む。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
半導体基板上に主要な膜構成をもち、Si-N結合を有するターゲット誘電体膜であって、プラズマ励起原子層の成膜(PEALD)により、半導体基板上に主要な膜構成をもちSi-N結合を有する基準の誘電体膜のストレスタイプと反対で、引っ張り又は圧縮のストレスタイプを有するターゲット誘電体膜をPEALDにより形成する方法であって、
(i) 半導体基板が中に配置される反応空間に、窒素及び水素を含有する反応ガス並びに希ガスを導入する工程と、
(ii) 基準の誘電体膜のストレスタイプとは反対のストレスタイプを有するターゲット誘電体膜を得るために、低周波RFパワー(LRF)と高周波RFパワー(HRF)の混合のRFパワーを、基準の誘電体膜のストレスタイプが引っ張りのときは、基準の誘電体膜に対して使用されたLRF/HRFの比率を増加させることにより、又は基準の誘電体膜のストレスタイプが圧縮のときは、基準の誘電体膜に対して使用されたLRF/HRFの比率を減少させることによりセットされるLRF/HRFの比率で、反応空間に印加する工程と、
(iii) RFパワーが印加されている間、反応空間に水素を含有するシリコン前駆体をパルスの状態に導入し、このことにより半導体基板上にターゲット誘電体膜をPEALDにより形成する工程と、
を含み、セットされた比率の結果として、ターゲット誘電体膜は基準の誘電体膜のストレスタイプとは反対のストレスタイプを有する、方法。
IPC (3件)：
H01L 21/318
, C23C 16/44
, C23C 16/509
H01L21/318 B
, C23C16/44 A
, C23C16/509
4K030AA06
, 4K030AA13
, 4K030AA16
, 4K030AA17
, 4K030AA18
, 4K030BA40
, 4K030EA03
, 4K030FA03
, 4K030HA01
, 4K030JA05
, 4K030JA18
, 4K030LA15
, 5F058BA20
, 5F058BC08
, 5F058BD10
, 5F058BF06
, 5F058BF07
, 5F058BF23
, 5F058BF27
, 5F058BF30
, 5F058BF37
, 5F058BJ01
審査官引用 (1件)
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半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願2007-259355
出願人：株式会社ルネサステクノロジ
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