特許
J-GLOBAL ID：200903009775091560

半導体装置の製造方法

発明者：
村田 周平

村田 周平 について

, 
二瀬 卓也

二瀬 卓也 について


出願人/特許権者：
株式会社ルネサステクノロジ

株式会社ルネサステクノロジ について


代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-259355
公開番号（公開出願番号）：特開2009-088421
出願日： 2007年10月03日
公開日（公表日）： 2009年04月23日
要約：
【課題】金属シリサイド層の異常成長を防止する。【解決手段】半導体基板1にゲート絶縁膜5、ゲート電極6a,6b、ソース・ドレイン用のn+型半導体領域7bおよびp+型半導体領域8bを形成する。それから、サリサイド技術によりゲート電極6a,6bおよびソース・ドレイン領域上に金属シリサイド層13を形成する。そして、金属シリサイド層13の表面を還元性ガスのプラズマで処理してから、半導体基板1を大気中にさらすことなく、金属シリサイド層13上を含む半導体基板1上に窒化シリコンからなる絶縁膜21をプラズマCVD法で堆積させる。【選択図】図7
請求項（抜粋）：
(a)半導体基板を準備する工程、 (b)前記半導体基板に第1導電型の第1半導体領域を形成する工程、 (c)前記第1半導体領域の表面に金属シリサイド層を形成する工程、 (d)前記金属シリサイド層の表面を還元性ガスのプラズマで処理する工程、 (e)前記金属シリサイド層上を含む前記半導体基板上に、窒化シリコンからなる第1絶縁膜をプラズマCVD法で形成する工程、 を有し、 前記(d)工程の後、前記半導体基板を大気中にさらすことなく前記(e)工程が行われることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (10件)：
H01L 21/28 ,  H01L 21/283 ,  H01L 21/768 ,  H01L 23/522 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/088 ,  H01L 21/318 ,  C23C 16/02
FI (9件)：
H01L21/28 301S ,  H01L21/283 B ,  H01L21/90 K ,  H01L29/78 301P ,  H01L29/78 301N ,  H01L27/08 102D ,  H01L27/08 102B ,  H01L21/318 B ,  C23C16/02
Fターム (153件)：
4K030AA06 ,  4K030AA13 ,  4K030AA18 ,  4K030BA40 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA02 ,  4K030FA03 ,  4K030LA15 ,  4M104AA01 ,  4M104BB01 ,  4M104BB21 ,  4M104CC01 ,  4M104DD02 ,  4M104DD07 ,  4M104DD16 ,  4M104DD17 ,  4M104DD78 ,  4M104DD84 ,  4M104EE17 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH20 ,  5F033HH04 ,  5F033HH11 ,  5F033HH21 ,  5F033HH25 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK01 ,  5F033KK25 ,  5F033MM01 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP12 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ00 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ70 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ94 ,  5F033QQ98 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033SS01 ,  5F033SS02 ,  5F033SS04 ,  5F033SS15 ,  5F033XX19 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BB04 ,  5F048BB06 ,  5F048BB07 ,  5F048BB08 ,  5F048BB12 ,  5F048BC06 ,  5F048BD01 ,  5F048BE03 ,  5F048BF06 ,  5F048BF07 ,  5F048BF11 ,  5F048BF15 ,  5F048BF16 ,  5F048BG12 ,  5F048BG13 ,  5F048DA23 ,  5F048DA25 ,  5F048DA27 ,  5F048DA30 ,  5F058BA20 ,  5F058BC08 ,  5F058BD10 ,  5F058BF07 ,  5F058BF23 ,  5F058BF30 ,  5F058BJ01 ,  5F058BJ02 ,  5F058BJ07 ,  5F140AB03 ,  5F140AC01 ,  5F140AC28 ,  5F140BA01 ,  5F140BE03 ,  5F140BE07 ,  5F140BF04 ,  5F140BF11 ,  5F140BF18 ,  5F140BF19 ,  5F140BF34 ,  5F140BF59 ,  5F140BF60 ,  5F140BG08 ,  5F140BG09 ,  5F140BG12 ,  5F140BG14 ,  5F140BG26 ,  5F140BG30 ,  5F140BG32 ,  5F140BG35 ,  5F140BG38 ,  5F140BG44 ,  5F140BG45 ,  5F140BG51 ,  5F140BG53 ,  5F140BH15 ,  5F140BJ08 ,  5F140BJ09 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ17 ,  5F140BJ20 ,  5F140BJ26 ,  5F140BJ27 ,  5F140BK02 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21 ,  5F140BK26 ,  5F140BK28 ,  5F140BK29 ,  5F140BK35 ,  5F140BK37 ,  5F140BK38 ,  5F140BK39 ,  5F140CA02 ,  5F140CA03 ,  5F140CA06 ,  5F140CB01 ,  5F140CB04 ,  5F140CB08 ,  5F140CC01 ,  5F140CC03 ,  5F140CC08 ,  5F140CC13 ,  5F140CC15 ,  5F140CE07 ,  5F140CE10 ,  5F140CE16 ,  5F140CF04 ,  5F140CF05
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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