特許

J-GLOBAL ID：201103086766837447

半導体記憶装置

発明者： 大金 淳一
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 大垣 孝
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-306153
公開番号（公開出願番号）：特開2002-117688
特許番号：特許第3606799号
出願日： 2000年10月05日
公開日（公表日）： 2002年04月19日
請求項（抜粋）：

【請求項1】フローティングゲートとのオーバラップ部分の面積が大きい第1不純物領域と当該オーバラップ部分の面積が当該第1不純物領域よりも小さい第2不純物領域とを備える、フローティングゲート構造のトランジスタを有するメモリセルが行列状に配置されたメモリセルブロックと、同一行の前記トランジスタの制御端子にそれぞれ接続された、複数の第1選択線と、同一列の前記トランジスタの前記第1不純物領域にそれぞれ接続された、複数の第2選択線と、複数行または複数列の前記トランジスタの前記第2不純物領域に接続された共通線と、記憶データの書き換え時に前記第2選択線に書き換え電位を印加する書き換え用トランジスタ回路と、記憶データの読み出し時に前記共通線に読み出し電位を印加する電圧印加手段と、前記共通線に供給される充電電荷量を一時的に増大させる充電加速手段とを有するドライバ回路と、を備えることを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (6件)：

G11C 16/06 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 27/10 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (4件)：

G11C 17/00 635 ,  H01L 27/10 481 ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-147596
  
• 半導体記憶装置の駆動方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-238758   出願人：松下電器産業株式会社
• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-267905   出願人：日本電気株式会社