半導体基板の熱処理方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-193987
公開番号（公開出願番号）：特開2001-023914
特許番号：特許第4286978号
出願日： 1999年07月08日
公開日（公表日）： 2001年01月26日
請求項（抜粋）：

【請求項1】被処理半導体基板の一主表面、別の主表面及び側面に、窒化ガリウム、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、シリコンカーバイドのいずれか1つあるいは2以上を含む焼結体からなり、赤外線の吸収体を具備する部材を対置させて熱処理する半導体基板の熱処理方法において、前記被処理半導体基板の周辺部に当接する部分のみに、前記赤外線の吸収体を具備する部材を対置させて熱処理することにより、前記部材の前記吸収体部分を先に昇温させることを特徴とする半導体基板の熱処理方法。

IPC (1件)：