シリコン単結晶ウエーハおよびその製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：岸田正行 , 小花弘路 , 内藤俊太
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-117675
公開番号（公開出願番号）：特開2000-313695
特許番号：特許第4234842号
出願日： 1999年04月26日
公開日（公表日）： 2000年11月14日
請求項（抜粋）：

【請求項1】チョクラルスキー法によりシリコン単結晶を育成するにあたり、シリコン単結晶の引上速度をV(mm/分)とし、シリコン融液と結晶との固液界面における結晶側の温度勾配をG(°C/mm)とするとき、結晶径方向のV/G値のバラツキ△(V/G)が10%以下であり、かつ熱酸化処理をした際にリング状に発生する酸化誘起積層欠陥がウエーハ外周部に消滅するように制御される引上げ速度で引上げることを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。

IPC (2件)：