特許
J-GLOBAL ID：200903091133731602
シリコン単結晶およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
八田 幹雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-197549
公開番号（公開出願番号）：特開平11-043397
出願日： 1997年07月23日
公開日（公表日）： 1999年02月16日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 チョクラルスキー法により製造される結晶において、COPおよびCOP発生原因となる微小欠陥を低減させる結晶引上げ方法を提供する。【解決手段】 結晶を融点から1300°C以上の温度領域を400分以上徐冷して引き上げる(方法1)、方法1に加えて1350°C以上の温度領域を通過する時間を60分未満とする(方法2)、方法1に加えて引上げ速度(v:mm/分)と凝固界面の結晶温度勾配(G:°C/mm)の比v/Gが0.13よりも大きくなる条件で結晶引上げを行う(方法3)、方法1あるいは方法2あるいは方法3に加えて1100°Cから1000°Cの温度領域を結晶冷却速度1.0°C/分未満で徐冷する(方法4)、方法1あるいは方法2あるいは方法3に加えて、1100°Cから1000°Cの温度領域を結晶冷却速度1.0°C/分以上で急冷する(方法5)より成る。
請求項（抜粋）：
チョクラルスキー法によるシリコン単結晶の製造において、融点から1300°Cの結晶温度領域内を通過する時間が400分以上である結晶引き上げ成長をすることを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。
IPC (3件)：
C30B 29/06 502
, C30B 15/20
, H01L 21/208
C30B 29/06 502 J
, C30B 15/20
, H01L 21/208 P
