特許
J-GLOBAL ID：201103087659748780
静電駆動素子の劣化を防ぐ方法および装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
吉田 研二
, 石田 純
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-294595
公開番号（公開出願番号）：特開2002-191180
特許番号：特許第4684501号
出願日： 2001年09月26日
公開日（公表日）： 2002年07月05日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 上部に絶縁層を有する基板と、前記絶縁層に形成された導体と、前記導体に隣接する薄膜と、前記薄膜と前記導体の間に形成されたアクチュエータ・チャンバとを含む静電素子であって、
前記薄膜は自身に電圧が印加された際に前記導体に向けてたわみ、
前記薄膜は、(i)薄膜上部と、(ii)前記薄膜を前記導体および前記絶縁層の上方で支える薄膜側面と、(iii)前記薄膜の前記上部が前記導体に接触するのを防止すべく前記薄膜の前記上部の中央部に配置された内部突起構造と、(iv)前記薄膜の前記上部が過度にたわむのを最小限に抑えられる距離だけ前記内部突起構造から離れて前記内部突起構造を囲んで前記薄膜の前記上部に配置された外部突起構造と、を有し、
前記内部突起構造および前記外部突起構造は、前記絶縁層上に配置された対応する受けパッドに接触し、
前記受けパッドは、前記絶縁層に形成された前記導体の層において、前記内部突起構造および前記外部突起構造のそれぞれに対応する位置の部分を電気的に絶縁することで設けられる、
ことを特徴とする静電素子。
IPC (3件)：
H02N 1/00 ( 200 6.01)
, B41J 2/045 ( 200 6.01)
, B41J 2/055 ( 200 6.01)
H02N 1/00
, B41J 3/04 103 A
