特許
J-GLOBAL ID:201103087887450074

金属不純物拡散阻止能を有する石英ガラス

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2009-293432
公開番号(公開出願番号):特開2011-132073
出願日: 2009年12月24日
公開日(公表日): 2011年07月07日
要約:
【課題】 従来、半導体熱処理治具に一般に使用されてきた天然シリカ粉熔融石英ガラスは金属不純物、特に銅の拡散阻止能を持たない。金属不純物拡散阻止能を有し、高温粘性の高い石英ガラスを提供する。【解決手段】 高純度の合成シリカ粉を電気炉中溶解やプラズマ溶解することにより、Si孤立電子対含有濃度を0.5×1016個/cm3以下にし、さらに、OH基含有濃度を50wt.ppm以下にすることにより、金属不純物拡散阻止能を有し、半導体熱処理時に粘性率の高い石英ガラスが得られる。【選択図】図1
請求項(抜粋):
Si孤立電子対含有量が0.5×1016個/cm3以下、含有Na濃度が0.1wt.ppm以下であり、1050°C・4時間のCu拡散処理を行った後に、拡散表面から深さ1mmの位置でのCu濃度が0.2wt.ppm以下となることを特徴とする石英ガラス。
IPC (2件):
C03B 20/00 ,  C03C 3/06
FI (4件):
C03B20/00 F ,  C03B20/00 K ,  C03B20/00 A ,  C03C3/06
Fターム (62件):
4G014AH00 ,  4G062AA01 ,  4G062BB02 ,  4G062DA08 ,  4G062DB01 ,  4G062DB02 ,  4G062DC01 ,  4G062DD01 ,  4G062DE01 ,  4G062DF01 ,  4G062EA01 ,  4G062EA02 ,  4G062EA10 ,  4G062EB01 ,  4G062EB02 ,  4G062EC01 ,  4G062EC02 ,  4G062ED01 ,  4G062ED02 ,  4G062EE01 ,  4G062EE02 ,  4G062EF01 ,  4G062EG01 ,  4G062FA01 ,  4G062FA10 ,  4G062FB01 ,  4G062FB02 ,  4G062FC01 ,  4G062FC02 ,  4G062FD01 ,  4G062FE01 ,  4G062FF01 ,  4G062FG01 ,  4G062FH01 ,  4G062FJ01 ,  4G062FK01 ,  4G062FL01 ,  4G062GA01 ,  4G062GA10 ,  4G062GB01 ,  4G062GC01 ,  4G062GD01 ,  4G062GE01 ,  4G062HH01 ,  4G062HH03 ,  4G062HH04 ,  4G062HH05 ,  4G062HH07 ,  4G062HH09 ,  4G062HH11 ,  4G062HH12 ,  4G062HH13 ,  4G062HH15 ,  4G062HH17 ,  4G062HH20 ,  4G062JJ01 ,  4G062JJ03 ,  4G062JJ05 ,  4G062JJ07 ,  4G062JJ10 ,  4G062MM16 ,  4G062NN40
引用特許:
審査官引用 (1件)
引用文献:
審査官引用 (1件)
  • 2009年度ニューガラス大学院 応用課程テキスト, 20091001, 9-11

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