特許
J-GLOBAL ID：201103088134369300
パワー半導体モジュール及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
荒船 博司
, 荒船 良男
, 上原 考幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-257649
公開番号（公開出願番号）：特開2011-103369
出願日： 2009年11月11日
公開日（公表日）： 2011年05月26日
要約：
【課題】金属-絶縁層接合基板上に電力変換回路が構成され金属ベース側に液冷式冷却装置が構成されるパワー半導体モジュールを製造するにあたり、放熱突起の形状や配置に依存することなく、電力変換回路部の熱処理を伴う組立工程を経ても当該基板に不都合な変形を生じさせることなく精度よく冷却液室を構成し、もって冷却性能の向上を図る。【解決手段】パワー半導体モジュールの回路基板として、アルミ製の金属ベース10の片面にセラミック絶縁層が接合し該絶縁層上に導体パターンが接合してなる金属-絶縁層接合基板1を用いる。金属ベースは絶縁層が接合する板状のベース部10aと、該ベース部の絶縁層が接合する面と反対の面から突出する放熱突起10bと、該ベース部に立設され放熱突起を囲む周壁部10cとが一体成形により構成されてなる。これにより基板の剛性を高めて熱応力に耐える。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
金属ベースの片面に絶縁層が接合し該絶縁層上に導体パターンが接合してなる金属-絶縁層接合基板と、
前記導体パターン上に半田ボンディングされた電力変換用の半導体素子とを備え、
前記金属ベースは、前記絶縁層が接合する板状のベース部と、該ベース部の前記絶縁層が接合する面と反対の面から突出する放熱突起と、該ベース部の前記絶縁層が接合する面と反対の面に立設され前記放熱突起を囲む周壁部とが一体成形により構成されてなり、
さらに前記周壁部の開口端を覆う蓋体を備え、前記周壁部に囲まれ前記放熱突起が存する空間に冷却液が流通可能にされてなるパワー半導体モジュール。
IPC (4件)：
H01L 23/36
, H01L 25/07
, H01L 25/18
, H05K 7/20
H01L23/36 Z
, H01L25/04 C
, H05K7/20 T
5E322AA01
, 5E322AA05
, 5E322AB01
, 5E322AB02
, 5E322AB09
, 5E322AB11
, 5E322DA03
, 5E322FA04
, 5E322FA06
, 5F136BA14
, 5F136CB07
, 5F136CB08
, 5F136DA27
, 5F136DA44
, 5F136EA04
