特許
J-GLOBAL ID：200903058702639674

パワー半導体モジュール、および該モジュールを搭載したパワー半導体デバイス

発明者：
中西 雷太

中西 雷太 について

, 
川村 俊明

川村 俊明 について


出願人/特許権者：
ニチコン株式会社

ニチコン株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人みのり特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-092777
公開番号（公開出願番号）：特開2008-251932
出願日： 2007年03月30日
公開日（公表日）： 2008年10月16日
要約：
【課題】パワー半導体素子および絶縁基板のはんだ接合不均一を解決し、さらにはパワー半導体素子の放熱不均一をも解決することができるパワー半導体モジュール、および該モジュールを搭載したパワー半導体デバイスを提供する。【解決手段】本発明に係るパワー半導体モジュールは、放熱フィン4と周壁部5が一体成形されてフィン付ベースプレート2を構成し、放熱フィン4の突出量が周壁部5の突出量以下であり、周壁部5の周壁端面が同一平面となっている。また、本発明に係るパワー半導体デバイス10は、上記パワー半導体モジュールと冷却ジャケット11とで冷却媒体の流路を形成し、給水口12と排水口13が流路の隅部対角位置に配置されている。【選択図】図7
請求項（抜粋）：
複数のパワー半導体素子と、 前記複数のパワー半導体素子が表面にはんだ接合される複数の絶縁基板と、 前記複数の絶縁基板の裏面側が表面にはんだ接合される平板状のベースプレートと、 前記ベースプレートの裏面側の、前記複数の絶縁基板と前記ベースプレートの接合領域に相対向する領域から突出した複数の放熱フィンと、 前記複数の放熱フィンの周囲を取り囲むように前記ベースプレートの裏面側から突出した周壁部とを備え、 前記ベースプレート、前記複数の放熱フィンおよび前記周壁部は一体成形されるフィン付ベースプレートを構成し、前記複数の放熱フィンが冷却媒体の通流方向に沿って配置され、前記複数の放熱フィンの突出量が前記周壁部の突出量以下であり、かつ、前記周壁部の端面が同一平面であることを特徴とするパワー半導体モジュール。
IPC (3件)：
H01L 23/40 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18
FI (2件)：
H01L23/40 Z ,  H01L25/04 C
Fターム (3件)：
5F136BB01 ,  5F136CB07 ,  5F136DA27
引用特許：
出願人引用 (9件)
全件表示
審査官引用 (8件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM