特許
J-GLOBAL ID：201103088579437225
微小径ワイヤボンディングの良否判定方法及び判定装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
齋藤 晴男
, 齋藤 貴広
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-058873
公開番号（公開出願番号）：特開2011-191232
出願日： 2010年03月16日
公開日（公表日）： 2011年09月29日
要約：
【課題】従来の画像検査方法等では判定できなかった半導体デバイスやLEDデバイス等の微小径ワイヤボンディングの良否判定を、非接触で高精度に行うことができる方法及び装置を提供することを課題とする。【解決手段】微小径ワイヤの接合部をスポット的に加熱する加熱用レーザー1と、微小径ワイヤの被加熱部より放射される微少量の赤外線から、放射率を補正して高速に温度測定を行う2波長赤外放射温度計2と、2波長赤外放射温度計2による測定結果を基準となる加熱パワーにおける温度変移に補正した後、補正後の温度変移ないしその温度変移から得られる接合面積と相関のある数値と、基準となる加熱パワーでの温度変移に補正した基準となる良品が示す温度変移ないしその温度変移から得られる接合面積と相関のある数値とを比較することにより行うボンディングの良否を判定する補正演算判定手段4とで構成される。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
微小径ワイヤボンディングの良否を、その接合部の接合面積から判定する方法であって、
微小スポット径のレーザーで微小径ワイヤを加熱する加熱工程と、前記微小径ワイヤの接合部における被加熱部より放射される微少量の赤外線から、放射率を補正して高速に温度変移測定を行う温度測定工程と、前記温度測定工程における測定結果をレーザーの吸収率に関して補正する補正工程と、前記補正工程において補正された測定温度を基に、その補正後の温度変移ないしその温度変移から得られる接合面積と相関のある数値と、レーザーの吸収率に関して補正した基準となる良品が示す温度変移ないしその温度変移から得られた接合面積と相関のある数値とを比較選別することによりボンディングの良否を判定する良否判定工程とから成り、
前記温度測定工程における温度測定は、前記被加熱部に温度変化が見られなくなる飽和温度に達するまでの温度変移を測定するものであり、前記補正工程における補正は、前記温度測定工程において測定した温度変移を、レーザーの吸収率に関して補正する目的の基準となる加熱パワーでの温度変移に補正するものであり、前記良否判定工程における良否判定は、前記補正工程における補正後の温度変移ないしその温度変移から得られる接合面積と相関のある数値と、基準となる加熱パワーでの温度変移に補正した基準となる良品が示す温度変移ないしその温度変移から得られる接合面積と相関のある数値とを比較選別することにより行うものであることを特徴とする微小径ワイヤボンディングの良否判定方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (7件)：
2G040AB08
, 2G040BA08
, 2G040CA02
, 2G040DA05
, 2G040DA12
, 2G040EA06
, 2G040HA05
