特許
J-GLOBAL ID：201103088581410148
窒化物半導体素子の成長方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-010347
公開番号（公開出願番号）：特開2001-203425
特許番号：特許第3440908号
出願日： 2000年01月17日
公開日（公表日）： 2001年07月27日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 有機金属気相成長法による窒化物半導体素子の成長方法において、反応炉内の雰囲気に残存する活性なAlを有し、H2雰囲気により窒化物半導体層を形成させる第1の工程と、反応炉内をH2雰囲気からN2雰囲気に切り換えることにより前記反応炉内の雰囲気に残存する活性なAlを用いてAl成分を有する層を取り込んでなる第2の工程と、前記Al成分を有する層に接してH2雰囲気により実質的にAlを含まない第2の窒化物半導体層を成長させる第3の工程と、第2の窒化物半導体層に接して、N2雰囲気によりInaGa1-aN(0≦a<1)からなる活性層を成長させる工程とを、順に形成する窒化物半導体素子の成長方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01S 5/323
, H01L 33/00 C
