特許

J-GLOBAL ID：200903018506214442

半導体発光装置及びその製造方法

発明者： ジョン・レニー ,  波多腰 玄一 ,  小野村 正明
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-020907
公開番号（公開出願番号）：特開平10-290027
出願日： 1998年02月02日
公開日（公表日）： 1998年10月27日
要約：

【要約】【課題】導波層とクラッド層界面の欠陥密度を制御することにより、活性層における発光が均一化された高効率で高信頼性のGaN系半導体発光装置を得る。【解決手段】GaN系半導体発光装置を形成する際、特に上部p-GaN導波層とp-AlGaNクラッド層との界面近傍において、成長温度と圧力の上昇又はp-AlGaNを効率的に成長するのに必要なキャリアガス流量とNH3 流量の増加により、発生する高密度の欠陥を制御する方法と構造を提供する。温度、圧力の上昇とキャリアガス、NH3 流量増加をクラッド層成長中に行うか成長後に行うか同時に行うか独立に行うか、あるいは導波層とクラッド層との間に欠陥発生を防止するInAlGaN又はInGaNバッファ層を導入することにより、前記欠陥密度を大幅に低減することができる。また上記GaNとAlGaNの界面に多量に生じる欠陥を半導体発光装置の電流狭窄に応用することができる。

請求項（抜粋）：

少なくとも活性層と、導波層と、クラッド層からなる多層構造を具備する半導体発光装置の製造方法において、前記多層構造の成長条件から温度条件を選択し、Inx Gay Alz B1-x-y-z N(0≦x、y、z≦1、0≦x+y+z≦1)からなる前記クラッド層の成長中に、前記温度条件を第1の温度から第2の温度に切り替える工程を含むことを特徴とする半導体発光装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/205 ,  H01S 3/18

FI (3件)：

H01L 33/00 C ,  H01L 21/205 ,  H01S 3/18

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 3-5族化合物半導体の製造方法および発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-322911   出願人：住友化学工業株式会社
• 化合物半導体発光素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-098633   出願人：シャープ株式会社
• 窒化物半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-036250   出願人：日亜化学工業株式会社
• 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-086083   出願人：豊田合成株式会社