特許
J-GLOBAL ID：201103088625375647

エピタキシャル層の抵抗率測定方法

発明者：
岡 哲史

岡 哲史 について

, 
能登 宣彦

能登 宣彦 について


出願人/特許権者：
信越半導体株式会社

信越半導体株式会社 について


代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-297599
公開番号（公開出願番号）：特開2011-138899
出願日： 2009年12月28日
公開日（公表日）： 2011年07月14日
要約：
【課題】シリコンウェーハ上の高濃度にドープされたエピタキシャル層の抵抗率であっても、従来に比べて正確且つ容易に測定することができるエピタキシャル層の抵抗率の測定方法を提供する。【解決手段】シリコン単結晶ウェーハ上に形成されたエピタキシャル層の抵抗率を測定する方法であって、少なくとも、エピタキシャル成長装置に、モニターウェーハとしてSOIウェーハを投入し、該SOIウェーハのSOI層上に、前記シリコン単結晶ウェーハの主表面に成長させるエピタキシャル層の成長条件と同一条件でモニターエピタキシャル層を成長させ、その後、前記モニターエピタキシャル層の膜厚及び抵抗値を測定して前記モニターエピタキシャル層の抵抗率を算出し、該算出された抵抗率を、前記シリコン単結晶ウェーハの主表面に成長させる前記エピタキシャル層の抵抗率とすることを特徴とするエピタキシャル層の抵抗率測定方法。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
シリコン単結晶ウェーハ上に形成されたエピタキシャル層の抵抗率を測定する方法であって、少なくとも、 エピタキシャル成長装置に、モニターウェーハとしてSOIウェーハを投入し、 該SOIウェーハのSOI層上に、前記シリコン単結晶ウェーハの主表面に成長させるエピタキシャル層の成長条件と同一条件でモニターエピタキシャル層を成長させ、 その後、前記モニターエピタキシャル層の膜厚及び抵抗値を測定して前記モニターエピタキシャル層の抵抗率を算出し、 該算出された抵抗率を、前記シリコン単結晶ウェーハの主表面に成長させる前記エピタキシャル層の抵抗率とすることを特徴とするエピタキシャル層の抵抗率測定方法。
IPC (4件)：
H01L 21/66 ,  H01L 21/205 ,  G01R 27/02 ,  C30B 29/06
FI (4件)：
H01L21/66 L ,  H01L21/205 ,  G01R27/02 R ,  C30B29/06 504Z
Fターム (27件)：
2G028AA01 ,  2G028BB11 ,  2G028BC01 ,  2G028CG02 ,  2G028HN11 ,  2G028HN13 ,  4G077AA03 ,  4G077AB06 ,  4G077BA04 ,  4G077GA06 ,  4G077GA07 ,  4G077HA12 ,  4M106AA01 ,  4M106AA10 ,  4M106BA14 ,  4M106CA10 ,  4M106DH09 ,  4M106DH51 ,  5F045AB02 ,  5F045AC05 ,  5F045AC19 ,  5F045AD14 ,  5F045AE29 ,  5F045AF03 ,  5F045AF19 ,  5F045BB10 ,  5F045GB12
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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