特許

J-GLOBAL ID：200903087422427345

半導体装置及びその製造方法

発明者： 親松 尚人
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (8件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-113659
公開番号（公開出願番号）：特開2006-270110
出願日： 2006年04月17日
公開日（公表日）： 2006年10月05日
要約：

【課題】膜厚測定を簡易化出来る半導体装置及びその製造方法を提供すること。【解決手段】半導体基板10の第1領域に、設けられた第1の半導体層13と、半導体基板10の第2領域上に、絶縁膜11を介在して設けられた第2の半導体層12と、半導体基板10の第3領域上に、絶縁膜11及び第2の半導体層12を介在して設けられた第3の半導体層13とを備え、第3領域内の第3の半導体層13の上面の高さは第2領域内の第2の半導体層12の上面の高さよりも高いことを特徴としている。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

半導体基板の第1領域に、設けられた第1の半導体層と、 前記半導体基板の第2領域上に、絶縁膜を介在して設けられた第2の半導体層と、 前記半導体基板の第3領域上に、前記絶縁膜及び前記第2の半導体層を介在して設けられた第3の半導体層と を備え、前記第3領域内の第3の半導体層の上面の高さは前記第2領域内の第2の半導体層の上面の高さよりも高い ことを特徴とする半導体装置。

IPC (9件)：

H01L 21/762 ,  H01L 21/66 ,  H01L 27/08 ,  H01L 21/76 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/824 ,  H01L 29/786 ,  H01L 27/088 ,  H01L 21/823

FI (12件)：

H01L21/76 D ,  H01L21/66 Y ,  H01L21/66 P ,  H01L27/08 331E ,  H01L21/76 L ,  H01L27/10 625A ,  H01L27/10 681F ,  H01L29/78 613B ,  H01L29/78 626C ,  H01L29/78 624 ,  H01L29/78 626B ,  H01L27/08 102A

Fターム (89件)：

4M106AA01 ,  4M106AA07 ,  4M106AB01 ,  4M106AB17 ,  4M106CA48 ,  4M106DH03 ,  5F032AA03 ,  5F032AA06 ,  5F032AA07 ,  5F032AA35 ,  5F032AA44 ,  5F032AA82 ,  5F032BA01 ,  5F032BA06 ,  5F032BB06 ,  5F032CA17 ,  5F032DA16 ,  5F048AA01 ,  5F048AA04 ,  5F048AA07 ,  5F048AB01 ,  5F048AB03 ,  5F048AB10 ,  5F048AC01 ,  5F048BA02 ,  5F048BA06 ,  5F048BA09 ,  5F048BA16 ,  5F048BA19 ,  5F048BA20 ,  5F048BB14 ,  5F048BC06 ,  5F048BC16 ,  5F048BD01 ,  5F048BD10 ,  5F048BF11 ,  5F048BF16 ,  5F048BF17 ,  5F048BF18 ,  5F048BG06 ,  5F048BG13 ,  5F048DA25 ,  5F083AD17 ,  5F083AD21 ,  5F083BS00 ,  5F083EP00 ,  5F083ER22 ,  5F083FR00 ,  5F083GA27 ,  5F083HA02 ,  5F083MA06 ,  5F083MA19 ,  5F083MA20 ,  5F083NA01 ,  5F083PR40 ,  5F083PR43 ,  5F083PR44 ,  5F083PR53 ,  5F083PR54 ,  5F083ZA04 ,  5F083ZA06 ,  5F083ZA12 ,  5F083ZA20 ,  5F110AA04 ,  5F110AA15 ,  5F110AA24 ,  5F110BB03 ,  5F110BB06 ,  5F110CC02 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD21 ,  5F110DD24 ,  5F110DD25 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110GG42 ,  5F110GG58 ,  5F110GG60 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN62 ,  5F110NN65 ,  5F110NN72 ,  5F110NN74 ,  5F110NN78 ,  5F110QQ17 ,  5F110QQ19

引用特許：

審査官引用 (7件)

• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-088755   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-083557   出願人：三洋電機株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-104563   出願人：日本電気株式会社
• 半導体記憶装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-249378   出願人：三菱電機株式会社
• 半導体集積回路装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-037691   出願人：株式会社日立製作所
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-023797   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-332930   出願人：株式会社東芝