特許
J-GLOBAL ID：201103088912716226

光学素子の製造方法および光学素子

発明者：
山田 大輔

山田 大輔 について


出願人/特許権者：
キヤノン株式会社

キヤノン株式会社 について


代理人 (1件)： 長尾 達也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-212764
公開番号（公開出願番号）：特開2011-064724
出願日： 2009年09月15日
公開日（公表日）： 2011年03月31日
要約：
【課題】入射光の入射断面積を大きくすることが可能となる、有効透磁率を人工的に変化させる光学素子の製造方法および光学素子を提供する。【解決手段】入射光の波長より小さい、非等方性形状の磁気共振器を含む光学素子の製造方法であって、 前記磁気共振器を、ホスト媒質中に分散させる第1の工程と、 前記第1の工程の後に、前記ホスト媒質に外部磁場を印加する第2の工程と、 前記第2の工程の後に、前記ホスト媒質を硬化させる第3の工程と、 を有する構成とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
入射光の波長より小さい、非等方性形状の磁気共振器を含む光学素子の製造方法であって、 前記磁気共振器を、ホスト媒質中に分散させる第1の工程と、 前記第1の工程の後に、前記ホスト媒質に外部磁場を印加する第2の工程と、 前記第2の工程の後に、前記ホスト媒質を硬化させる第3の工程と、 を有することを特徴とする光学素子の製造方法。
IPC (2件)：
G02B 5/30 ,  G02B 5/00
FI (2件)：
G02B5/30 ,  G02B5/00 Z
Fターム (9件)：
2H042AA01 ,  2H042AA20 ,  2H149AB00 ,  2H149BA04 ,  2H149BA24 ,  2H149BA27 ,  2H149BB28 ,  2H149FA01Z ,  2H149FA41W
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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