特許
J-GLOBAL ID：201103089623034091

磁気トンネル接合積層型ヘッド及びその製法

発明者：
西岡 浩一

西岡 浩一 について


出願人/特許権者：
株式会社日立グローバルストレージテクノロジーズ

株式会社日立グローバルストレージテクノロジーズ について


代理人 (1件)： 井上 学
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-203059
公開番号（公開出願番号）：特開2002-025013
特許番号：特許第4177954号
出願日： 2000年06月30日
公開日（公表日）： 2002年01月25日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 反強磁性層と、該反強磁性層に隣接しこの層の磁化により磁気的に固定された固定強磁性層と、該反強磁性層の磁化から磁気的に自由な自由強磁性層と、これらの強磁性層間に挟まれた絶縁層と、これらの層に電流を印加する一対の電極とを有し、 上記自由強磁性層と上記電極の一方との間に、上記自由強磁性層を磁区制御する強磁性層の積層膜を形成し、上記強磁性層の積層膜は、2つの強磁性層と、これらの強磁性層間に挟まれ隣接する該強磁性層の磁気モーメントを反強磁性結合させる反強磁性結合層とを有し、 上記2つの強磁性層のうち自由強磁性層側の強磁性層と上記自由強磁性層との間に隣接して形成される非磁性導電層を有し、上記非磁性導電層の膜厚は1.8nm〜3.5nmの範囲内であり、 上記2つの強磁性層の磁気モーメントは反平行であり、上記2つの強磁性層のうち自由強磁性層側の強磁性層の磁気モーメントと上記自由強磁性層の磁気モーメントとは平行であり、上記自由強磁性層側の強磁性層の磁気モーメントは、上記電極の一方側の強磁性層の磁気モーメントより小さく、 上記自由強磁性層は、上記2つの強磁性層のうち上記電極の一方側の強磁性層に生じる磁極による静磁気的相互作用、及び、上記2つの強磁性層のうち自由強磁性層側の強磁性層と前記自由強磁性層との間に働くRKKY相互作用またはオレンジピール相互作用、により磁区制御される、ことを特徴とする磁気トンネル接合積層型ヘッド。
IPC (7件)：
G11B 5/39 ( 200 6.01) ,  G01R 33/09 ( 200 6.01) ,  H01F 10/12 ( 200 6.01) ,  H01F 10/16 ( 200 6.01) ,  H01F 10/26 ( 200 6.01) ,  H01L 43/08 ( 200 6.01) ,  H01L 43/12 ( 200 6.01)
FI (7件)：
G11B 5/39 ,  G01R 33/06 R ,  H01F 10/12 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/26 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 43/12
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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