特許
J-GLOBAL ID:201103089708673867
投影リソグラフィ用薄膜マスク
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
岡部 正夫 (外10名)
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-100764
公開番号(公開出願番号):特開平11-329966
特許番号:特許第3408990号
出願日: 1999年04月08日
公開日(公表日): 1999年11月30日
請求項(抜粋):
【請求項1】 投影電子ビームリソグラフィーを含むプロセスにおける使用に適合した散乱マスクであって、前記マスクが、第1の原子番号を有し、導電材料を含む少なくとも1つの材料で作られる薄膜部分、及び第2の原子番号を有し、前記薄膜部分の選択領域をおおう散乱部分を含み、前記選択領域は、前記マスクへ向けられた電子ビームが前記薄膜部分を含むマスクの領域よりも前記薄膜部分及び散乱部分の双方を含むマスクの領域で相違的に散乱するように前記散乱部分における複数の開口を規定し、前記薄膜部分は、ケイ素及び窒化ケイ素で作られ、電子ビームがマスクへ向けられたときに前記薄膜部分内の電荷の蓄積を緩和し、前記薄膜中の窒化ケイ素に対するケイ素の率は導電率勾配を規定することを特徴とする散乱マスク。
IPC (2件):
FI (2件):
G03F 1/16 B
, H01L 21/30 541 S
引用特許:
審査官引用 (2件)
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荷電粒子線転写用マスク
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-100342
出願人:株式会社ニコン
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X線マスク
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-183740
出願人:三菱マテリアル株式会社, 三菱電機株式会社
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