特許

J-GLOBAL ID：201103089808816690

磁気抵抗記憶素子及び磁気ランダムアクセスメモリ

発明者： 加藤 有光
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 工藤 実
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-032888
公開番号（公開出願番号）：特開2011-171454
出願日： 2010年02月17日
公開日（公表日）： 2011年09月01日
要約：

【課題】書込み電流を低減しつつ、信頼性の高い磁気抵抗記憶素子を提供する。【解決手段】磁気抵抗記憶素子は、読出し構造体と、読み出し構造体の近傍に設けられた書込み構造体とを具備する。読み出し構造体は、磁化方向が変化する第1のフリー層と、磁化方向が固定された磁化固定層と、第1のフリー層と磁化固定層との間に設けられたトンネル絶縁層とを備える。書込み構造体は、磁化方向が変化する第2のフリー層を備える。第2のフリー層は、第2のフリー層の膜の上面に設けられ、第1方向に磁化が固定された第1の磁化固定領域と、膜の下面に設けられ、第2方向に磁化方向が固定された第2の磁化固定領域とを含む。膜の膜面方向に磁壁が存在する。第1のフリー層と第2のフリー層とは静磁結合している。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

読出し構造体と、 前記読み出し構造体の近傍に設けられた書込み構造体とを具備し、 前記読み出し構造体は、 磁化方向が変化する第1のフリー層と、 磁化方向が固定された磁化固定層と、 前記第1のフリー層と前記磁化固定層との間に設けられたトンネル絶縁層とを備え、 前記書込み構造体は、磁化方向が変化する第2のフリー層を備え、 前記第2のフリー層は、 前記第2のフリー層の膜の上面に設けられ、第1方向に磁化が固定された第1の磁化固定領域と、 前記膜の下面に設けられ、第2方向に磁化方向が固定された第2の磁化固定領域とを含み、 前記膜の膜面方向に磁壁が存在し、 前記第1のフリー層と前記第2のフリー層とは静磁結合している 磁気抵抗記憶素子。

IPC (3件)：

H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/08

FI (2件)：

H01L27/10 447 ,  H01L43/08 Z

Fターム (25件)：

4M119AA17 ,  4M119BB01 ,  4M119BB20 ,  4M119CC10 ,  4M119DD17 ,  4M119DD24 ,  4M119DD25 ,  4M119DD52 ,  4M119EE23 ,  4M119EE28 ,  5F092AB08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD03 ,  5F092AD23 ,  5F092AD26 ,  5F092BB17 ,  5F092BB22 ,  5F092BB36 ,  5F092BB42 ,  5F092BB55 ,  5F092BB81 ,  5F092BC04 ,  5F092BC07 ,  5F092BC42 ,  5F092BC47

引用特許：

審査官引用 (1件)

• スピン注入磁区移動素子およびこれを用いた装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-107114   出願人：富士電機ホールディングス株式会社