スピン注入磁区移動素子およびこれを用いた装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-107114
公開番号（公開出願番号）：特開2006-287081
出願日： 2005年04月04日
公開日（公表日）： 2006年10月19日
要約：

【課題】磁壁移動を電気抵抗で検出可能な素子を提供すると共に、高速かつ低電流での磁壁移動と記録された磁壁の熱安定性を両立可能とする。【解決手段】本発明のスピン注入磁区移動素子は、磁壁を有する磁壁移動層、少なくとも1層の強磁性層を有する第1磁性層グループおよび少なくとも1層の強磁性層を有する第2磁性層グループを有して構成し、第1磁性層グループと第2磁性層グループが磁壁移動層の両端に配置され、第1磁性層グループと第2磁性層グループとの間に電子を流すことにより、磁壁移動層の磁壁を移動することを特徴とする。磁壁移動層の一部が第1磁性層グループと反強磁性結合をし、磁壁移動層の一部が第2磁性層グループと反強磁性結合または強磁性結合をしていることが好ましい。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

磁壁を有する磁壁移動層、少なくとも1層の強磁性層を有する第1磁性層グループおよび少なくとも1層の強磁性層を有する第2磁性層グループを有し、該第1磁性層グループと該第2磁性層グループが該磁壁移動層の両端に配置され、該第1磁性層グループと該第2磁性層グループとの間に電子を流すことにより、前記磁壁移動層の磁壁を移動することを特徴とするスピン注入磁区移動素子。

IPC (6件)：

H01L 29/82 , G11B 5/39 , G11C 11/15 , H01L 43/08 , H01L 27/105 , H01L 21/824

FI (5件)：

H01L29/82 Z , G11B5/39 , G11C11/15 112 , H01L43/08 Z , H01L27/10 447

Fターム (7件)：

5D034BA03 , 5F083FZ10 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA60

引用特許：

出願人引用 (1件)

スピン注入デバイス及びこれを用いた磁気装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-410966 出願人：独立行政法人科学技術振興機構

審査官引用 (7件)

磁気抵抗効果素子及びその製造方法、磁気検出素子並びに磁気記録再生素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-295146 出願人：株式会社東芝
磁気検出素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-240552 出願人：アルプス電気株式会社
磁気抵抗効果素子、及び、それを有する読み取りヘッド並びにドライブ
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-345651 出願人：富士通株式会社

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引用文献：

審査官引用 (1件)

強磁性半導体保磁力パターニング構造における電流誘起磁壁移動

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