特許
J-GLOBAL ID:201103090245973368
誘導結合型プラズマエッチング装置のRFピークトゥピーク電圧を能動的に制御する装置および方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件):
五十嵐 孝雄
, 下出 隆史
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2011-164382
公開番号(公開出願番号):特開2011-233924
出願日: 2011年07月27日
公開日(公表日): 2011年11月17日
要約:
【課題】TCP窓を過度に腐食させることなく導電性の反応生成物の堆積を防止する。【解決手段】誘電結合型プラズマエッチング装置は、チャンバと、チャンバ頂部の開口部を封止するための窓とを備える。窓は、チャンバの内部領域に露出した内面を有する。ファラデーシールドとして機能する金属板は、窓の上方に窓から離れて設置される。コイルは、窓の内面がスパッタリングされるのを最適に低減し、それと実質同時に、窓の内面上にエッチング副産物が堆積されるの防ぐような、ピークトゥピーク電圧を生成するように構成された接続位置において、金属板に導電結合される。別の実施形態において、この装置は、金属板に外部からピークトゥピーク電圧を印加するためのコントローラを備える。コントローラは、発振回路と、整合回路と、RF電源と、印加されたピークピーク電圧をモニタリングするためのフィードバック制御とを備える。【選択図】図2A
請求項(抜粋):
誘電結合型プラズマエッチング装置であって、
チャンバと、
前記チャンバの内部領域に露出された内面を有し、前記チャンバ頂部の開口部を封止するための窓と、
前記窓の上方に前記窓から離れて配置された金属板と、
前記金属板の上方に前記金属板から離れて配置され、前記窓の前記内面がスパッタリングされるのを最適に低減すると共に、実質的に同時に前記窓の前記内面上にエッチング副生成物が堆積されるの防ぐピークトゥピーク電圧を生成するように構成された接続位置において前記金属板に導電結合されるコイルと
を備える、誘電結合型プラズマエッチング装置。
IPC (3件):
H01L 21/306
, B01J 19/08
, H05H 1/46
FI (4件):
H01L21/302 101C
, B01J19/08 E
, H05H1/46 L
, H05H1/46 R
Fターム (12件):
4G075AA30
, 4G075BC06
, 4G075BD14
, 4G075CA47
, 4G075DA02
, 4G075DA04
, 4G075EB41
, 4G075FB02
, 4G075FC11
, 5F004BA20
, 5F004CB05
, 5F004DB08
引用特許:
前のページに戻る