特許
J-GLOBAL ID：201103090511056732

冷陰極電界電子放出素子及びその製造方法、並びに、冷陰極電界電子放出表示装置

発明者：
野田 真

野田 真 について

, 
山田 二郎

山田 二郎 について

, 
沖田 昌海

沖田 昌海 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 山本 孝久
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-194159
公開番号（公開出願番号）：特開2000-277001
特許番号：特許第4193294号
出願日： 1999年07月08日
公開日（公表日）： 2000年10月06日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 電子放出層と、絶縁層と、ゲート電極層とが、この順に支持体上に積層され、 ゲート電極層から支持体の表面に達する開口部が設けられ、 開口部は、ゲート電極層に設けられ、電子放出層から放出された電子が通過する第1開口部と、絶縁層に設けられた第2開口部と、電子放出層に設けられた第3開口部とから成り、 第1開口部と第2開口部と第3開口部とは連通しており、 電子が放出される第3開口部の開口端部は、第1開口部の開口端部よりも後退しており、 第1開口部の開口端部に対する第3開口部の開口端部の電子放出層の延在方向に沿った後退量をX、ゲート電極層と電子放出層との間の距離をYとしたとき、0<X/Y≦1.7を満足していることを特徴とする冷陰極電界電子放出素子。
IPC (4件)：
H01J 1/304 ( 200 6.01) ,  H01J 9/02 ( 200 6.01) ,  H01J 31/12 ( 200 6.01) ,  H01J 29/04 ( 200 6.01)
FI (4件)：
H01J 1/30 F ,  H01J 9/02 B ,  H01J 31/12 C ,  H01J 29/04
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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