特許
J-GLOBAL ID：201103090531264013
フォトダイオードアレイ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
長谷川 芳樹
, 寺崎 史朗
, 石田 悟
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-145713
公開番号（公開出願番号）：特開2011-003739
出願日： 2009年06月18日
公開日（公表日）： 2011年01月06日
要約：
【課題】印加電圧を増加させることなく、各フォトダイオードからの出力を増加することが可能なフォトダイオードアレイの提供。【解決手段】アレイの構造は、半導体基板1Nとキャパシタ用電極E2との間に絶縁層Lを介してキャパシタC1が形成されている。また、N型の半導体基板1NとP型の第1半導体領域1PAとの間に、PN接合が構成されることで、フォトダイオードD1が形成され、半導体基板1Nは第1電極E1に電気的に接続され、第1半導体領域1PAは、第2半導体領域1PBを介して、表面電極E3に接続されている。これらのフォトダイオードD1とキャパシタC1とは並列に接続されている。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
複数のフォトダイオードを第1導電型の半導体基板に形成してなるフォトダイオードアレイにおいて、
個々のフォトダイオードは、
前記半導体基板の一方の表面側に形成された第2導電型の第1半導体領域と、
前記第1半導体領域内に形成されこの第1半導体領域よりも高い不純物濃度を有する第2導電型の第2半導体領域と、
前記半導体基板に電気的に接続された第1電極と、
前記第2半導体領域上に形成された表面電極と、
を備え、
個々のフォトダイオード毎に、
前記第1半導体領域の外側の前記半導体基板上に、絶縁層を介して形成された第1キャパシタ用電極と、
前記表面電極に、その一方端が連続し、前記第1半導体領域上の絶縁層の表面に沿って延びた抵抗層と、
を備え、
前記第1キャパシタ用電極と前記表面電極とは電気的に接続されており、
前記個々のフォトダイオードの前記抵抗層の他方端は、共通の信号線に電気的に接続されている、
ことを特徴とするフォトダイオードアレイ。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L31/10 H
, H01L31/10 A
5F049MA07
, 5F049MB03
, 5F049NA01
, 5F049NB03
, 5F049NB05
, 5F049QA03
, 5F049RA03
, 5F049SE02
, 5F049SE12
, 5F049SE20
, 5F049UA01
, 5F049UA11
, 5F049UA20
