特許

J-GLOBAL ID：201103090728935459

SOI基板の製造方法

発明者： 水嶋 一樹
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社
代理人 (1件)： 須田 正義
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-284568
公開番号（公開出願番号）：特開2002-094034
特許番号：特許第4501263号
出願日： 2000年09月20日
公開日（公表日）： 2002年03月29日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 シリコン基板(11)表面にSi1-yGey層(14)(但し、0.05≦y≦0.75)をエピタキシャル成長させて堆積する工程と、 前記Si1-yGey層(14)表面にSi層(13)をエピタキシャル成長させて堆積する工程と、 前記Si1-yGey層(14)及び前記Si層(13)を堆積した前記シリコン基板(11)を熱酸化処理することにより前記Si1-yGey層(14)を酸化してSi1-xGexO2層(12)(但し、0≦x≦0.5)に変化させる工程と を含むSOI基板の製造方法であって、 前記Si1-yGey層(14)の堆積中に酸素ガスを導入することにより前記Si1-yGey層(14)に酸素を含ませることを特徴とするSOI基板の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 27/12 ( 200 6.01) ,  H01L 21/20 ( 200 6.01) ,  H01L 21/762 ( 200 6.01)

FI (3件)：

H01L 27/12 Z ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/76 D

引用特許：

審査官引用 (2件)

• SOI基板の製造方法およびSOI基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-076538   出願人：コマツ電子金属株式会社, 日本電信電話株式会社, エヌ・ティ・ティ・エレクトロニクステクノロジー株式会社
• 特開平4-079372