半導体装置の作製方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：福田賢三 , 福田伸一 , 福田武通 , 加藤恭介
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-259565
公開番号（公開出願番号）：特開2000-082670
特許番号：特許第3680256号
出願日： 1999年09月13日
公開日（公表日）： 2000年03月21日
請求項（抜粋）：

【請求項1】ガラス基板上に非晶質珪素膜を形成し、前記非晶質珪素膜の表面に酸化珪素膜を形成し、前記酸化珪素膜上に前記非晶質珪素膜の結晶化を助長するニッケルを含む層をスピンコーティング法によって形成し、前記非晶質珪素膜を窒素雰囲気でアニールして結晶化し、パターニングすることによって島状の結晶性珪素膜を形成し、前記島状の結晶性珪素膜の表面に残存した酸化珪素膜を除去し、前記島状の結晶性珪素膜に酸素雰囲気中でエキシマレーザー光を照射し、前記島状の結晶性珪素膜の表面に酸化珪素膜を形成するとともに、前記島状の結晶性珪素膜中に残留した非晶質領域を結晶化させ、前記酸化珪素膜上に絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (4件)：

H01L 21/20 , H01L 21/316 , H01L 21/336 , H01L 29/786

FI (4件)：

H01L 21/20 , H01L 21/316 S , H01L 21/316 X , H01L 29/78 627 G

引用特許：

審査官引用 (16件)

半導体装置の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-162702 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
特開平4-221127
特開平2-140915

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