特許
J-GLOBAL ID：201103091029832136
半導体装置の検査方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岩佐 義幸
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-031178
公開番号（公開出願番号）：特開2000-232137
特許番号：特許第3248504号
出願日： 1999年02月09日
公開日（公表日）： 2000年08月22日
請求項（抜粋）：
【請求項1】走査型電子顕微鏡画像を用いて周期構造に不規則性を有する微細構造の欠陥を検査する画像比較方式による半導体装置の検査方法において、走査型電子顕微鏡による2次電子像を用いて試料を検査する場合に、対物レンズ電流値にオフセットをかけ、前記不規則性を有する微細構造の像質を劣化させて検査する半導体装置の検査方法であって、前記試料が一方向に結晶粒界に起因する形状を有する場合に、非点収差補正レンズを用いて一方向のみの解像度を落とすことによって微細構造を検出できないようにすることを特徴とする半導体装置の検査方法。
IPC (2件)：
H01L 21/66
, H01J 37/22 502
H01L 21/66 J
, H01J 37/22 502 Z
