特許
J-GLOBAL ID：201103091171544377

光電変換装置

発明者：
坂井 智嗣

坂井 智嗣 について

, 
小林 靖之

小林 靖之 について


出願人/特許権者：
三菱重工業株式会社

三菱重工業株式会社 について


代理人 (2件)： 藤田 考晴 ,  上田 邦生
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-224597
公開番号（公開出願番号）：特開2011-077128
出願日： 2009年09月29日
公開日（公表日）： 2011年04月14日
要約：
【課題】反射特性が最適化された中間コンタクト層を備える光電変換装置を提供する。【解決手段】基板1上に基板1と反対側の表面に凹凸構造を備える透明電極層2と、透明電極層2上に2つの発電層91,92からなる光電変換層3と、光電変換層3上に裏面電極層4と、2つの発電層91,92の間に設けられる中間コンタクト層5とを備え、中間コンタクト層5が、基板1側から順に、酸化チタンを主とする酸化チタン膜と、透明導電性酸化物を主とする裏面側透明導電膜とを含み、酸化チタン膜の膜厚が、裏面側透明導電膜の膜厚が5nmのときに65nm以上110nm以下、10nmのときに65nm以上95nm以下、15nmのときに65nm以上90nm以下、20nmのときに60nm以上85nm以下、25nmのときに55nm以上70nm以下、及び、30nmのときに55nm以上65nm以下で表される領域の範囲内である光電変換装置100。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板上に該基板と反対側の表面に凹凸構造を備える透明電極層と、該透明電極層上に2つの発電層からなる光電変換層と、該光電変換層上に裏面電極層と、前記2つの発電層の間に設けられる中間コンタクト層とを備え、 前記中間コンタクト層が、前記基板側から順に、酸化チタンを主とする酸化チタン膜と、透明導電性酸化物を主とする裏面側透明導電膜とを含み、 前記酸化チタン膜の膜厚が、 前記裏面側透明導電膜の膜厚が5nmのときに65nm以上110nm以下、 前記裏面側透明導電膜の膜厚が10nmのときに65nm以上95nm以下、 前記裏面側透明導電膜の膜厚が15nmのときに65nm以上90nm以下、 前記裏面側透明導電膜の膜厚が20nmのときに60nm以上85nm以下、 前記裏面側透明導電膜の膜厚が25nmのときに55nm以上70nm以下、及び、 前記裏面側透明導電膜の膜厚が30nmのときに55nm以上65nm以下 で表される領域の範囲内である光電変換装置。
IPC (1件)：
H01L 31/04
FI (2件)：
H01L31/04 M ,  H01L31/04 W
Fターム (36件)：
5F051AA02 ,  5F051AA03 ,  5F051AA04 ,  5F051AA05 ,  5F051CA02 ,  5F051CA03 ,  5F051CA04 ,  5F051CA15 ,  5F051CB27 ,  5F051DA04 ,  5F051DA15 ,  5F051FA03 ,  5F051FA04 ,  5F051FA19 ,  5F051FA23 ,  5F051GA03 ,  5F051JA04 ,  5F051JA05 ,  5F151AA02 ,  5F151AA03 ,  5F151AA04 ,  5F151AA05 ,  5F151CA02 ,  5F151CA03 ,  5F151CA04 ,  5F151CA15 ,  5F151CB27 ,  5F151DA04 ,  5F151DA15 ,  5F151FA03 ,  5F151FA04 ,  5F151FA19 ,  5F151FA23 ,  5F151GA03 ,  5F151JA04 ,  5F151JA06
引用特許：
審査官引用 (3件)

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