特許
J-GLOBAL ID：200903079848000400

薄膜シリコン積層型太陽電池

発明者：
中野 要治

中野 要治 について

, 
山下 信樹

山下 信樹 について


出願人/特許権者：
三菱重工業株式会社

三菱重工業株式会社 について


代理人 (2件)： 工藤 実 ,  中尾 圭策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-305144
公開番号（公開出願番号）：特開2006-120745
出願日： 2004年10月20日
公開日（公表日）： 2006年05月11日
要約：
【課題】 本発明の目的は、高効率で生産性の高い薄膜シリコン積層型太陽電池を提供することである。【解決手段】 安定化効率が最大になるように、太陽光が入射する第1透明電極に形成された凹凸部の凹凸のピッチおよび高低差の値を最適化する。これにより、太陽電池に入射する太陽光の入射経路を延長させて太陽電池の発電効率を向上させる。また、タンデム構造を有した太陽電池において、各層構成における非晶質シリコン太陽電池および結晶質太陽電池の膜厚値の最適化を行う。【選択図】 図6
請求項（抜粋）：
透明基板上に形成される第1導電層と、 前記第1導電層上に形成される第1太陽電池層と、 前記第1太陽電池層上に積層される第2太陽電池層を具備し、 前記第1導電層はピッチが0.2〜2.5μmで、高低差が前記ピッチの1/2〜1/4である凹凸を有する薄膜シリコン積層型太陽電池。
IPC (1件)：
H01L 31/04
FI (1件)：
H01L31/04 W
Fターム (11件)：
5F051AA04 ,  5F051AA05 ,  5F051BA14 ,  5F051CB15 ,  5F051DA04 ,  5F051DA16 ,  5F051DA18 ,  5F051FA02 ,  5F051FA06 ,  5F051FA13 ,  5F051FA19
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (2件)

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