特許
J-GLOBAL ID:201103091186566040

光スイッチ素子の製造方法、光スイッチ素子、光スイッチ装置、およびMEMS素子の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 酒井 宏明 ,  田代 至男
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2009-251154
公開番号(公開出願番号):特開2011-095621
出願日: 2009年10月30日
公開日(公表日): 2011年05月12日
要約:
【課題】製造が容易であり、かつ製造歩留まりが高い光スイッチ素子の製造方法、光スイッチ素子、光スイッチ装置、およびMEMS素子の製造方法を提供すること。【解決手段】固定電極と、前記固定電極と所定の間隙を有して配置された可動電極と、前記可動電極に接続したミラーとを備えた光スイッチ素子の製造方法であって、表面導電層と絶縁層と裏面層とを有する多層基板の該表面導電層から該絶縁層に到る貫通パターン孔を形成し、前記貫通パターン孔を通して表面側から前記裏面導電層にパターンを形成する。【選択図】図1
請求項(抜粋):
固定電極と、前記固定電極と所定の間隙を有して配置された可動電極と、前記可動電極に接続したミラーとを備えた光スイッチ素子の製造方法であって、 表面導電層と絶縁層と裏面導電層とを有する多層基板の該表面導電層から該絶縁層に到る貫通パターン孔を形成し、前記貫通パターン孔を通して表面側から前記裏面導電層にパターンを形成することを特徴とする光スイッチ素子の製造方法。
IPC (3件):
G02B 26/08 ,  B81B 3/00 ,  B81C 1/00
FI (3件):
G02B26/08 E ,  B81B3/00 ,  B81C1/00
Fターム (31件):
2H141MA16 ,  2H141MB23 ,  2H141MC07 ,  2H141MD13 ,  2H141MD20 ,  2H141MD23 ,  2H141MD38 ,  2H141ME01 ,  2H141ME06 ,  2H141ME13 ,  2H141ME19 ,  2H141ME24 ,  2H141MF25 ,  2H141MF26 ,  2H141MG01 ,  2H141MZ03 ,  2H141MZ13 ,  2H141MZ19 ,  2H141MZ26 ,  3C081AA18 ,  3C081BA07 ,  3C081BA28 ,  3C081BA43 ,  3C081BA46 ,  3C081BA47 ,  3C081BA53 ,  3C081CA02 ,  3C081CA14 ,  3C081CA15 ,  3C081DA04 ,  3C081EA09
引用特許:
審査官引用 (1件)

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