特許
J-GLOBAL ID：200903015782002352
櫛歯電極対形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
吉田 稔
, 田中 達也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-069155
公開番号（公開出願番号）：特開2006-247793
出願日： 2005年03月11日
公開日（公表日）： 2006年09月21日
要約：
【課題】 一対の櫛歯電極を高いアライメント精度で形成するのに適した方法を提供する。【解決手段】 本発明の櫛歯電極対形成方法は、材料基板70において一対の櫛歯電極(第1および第2櫛歯電極)を形成するための方法である。本方法は、シリコン層70a上に形成されたプリマスクパターン71’上の第1櫛歯電極用のマスク部72a及びシリコン層70a上の第2櫛歯電極用のマスク部72bを含むマスクパターン72を形成する工程、マスクパターン72を用いたエッチング処理により、マスク部72aに対応する第1櫛歯電極用のマスク部71aを含むマスクパターン71をプリ第1マスクパターン71’から形成する工程、マスクパターン71,72を介してシリコン層70aに対してエッチング処理を施し、重なり合うマスク部71a,72aにマスクされた第1櫛歯電極の導体部E1aとマスク部72bにマスクされた残存マスク部70a’とを形成する工程を含む。【選択図】 図7
請求項（抜粋）：
第1導体層と、第2導体層と、当該第1および第2導体層の間の絶縁層とからなる積層構造を有する材料基板に対して加工を施すことにより、一対の櫛歯電極を形成するための方法であって、
前記一対の櫛歯電極は、前記第1導体層に由来する第1導体部と、前記第2導体層に由来する第2導体部と、前記絶縁層に由来する絶縁部とからなる積層構造を有する第1櫛歯電極、および、前記第2導体層に由来する第2櫛歯電極からなり、
前記第1導体層上にプリ第1マスクパターンを形成する工程と、
前記プリ第1マスクパターン上の第1櫛歯電極用の第1マスク部、および、前記第1導体層上の第2櫛歯電極用の第2マスク部、を含む第2マスクパターンを、前記プリ第1マスクパターン上および前記第1導体層上にわたって形成する工程と、
前記第2マスクパターンを介して前記プリ第1マスクパターンに対してエッチング処理を施し、前記第2マスクパターンの前記第1マスク部に対応するパターン形状を有する第1櫛歯電極用の第3マスク部、を含む第1マスクパターンを、前記プリ第1マスクパターンから形成する、第1エッチング工程と、
前記第1および第2マスクパターンを介して前記第1導体層に対して前記絶縁層に至るまでエッチング処理を施し、重なり合う前記第1および第3マスク部にマスクされた第1導体部、および、前記第2マスク部にマスクされた第1残存マスク部を、前記第1導体層において形成する、第2エッチング工程と、
前記絶縁層に対して第1導体層側から前記第2導体層に至るまでエッチング処理を施し、前記第1導体部にマスクされた絶縁部、および、前記第1残存マスク部にマスクされた第2残存マスク部を、前記絶縁層において形成する、第3エッチング工程と、
前記第2マスクパターンを除去する工程と、
前記第2導体層に対して第1導体層側からエッチング処理を施し、前記第1残存マスク部を除去しつつ、前記絶縁部に接する第2導体部、および、前記第2残存マスク部にマスクされた第2櫛歯電極を、前記第2導体層において形成する、第4エッチング工程と、を含む櫛歯電極対形成方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
出願人引用 (3件)
審査官引用 (5件)
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