特許

J-GLOBAL ID：201103091329009415

ヒドリドイオン導電体およびその製造方法

発明者： 菅野 了次 ,  平山 雅章 ,  小林 玄器
出願人/特許権者： 国立大学法人東京工業大学
代理人 (6件)： 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  蛯谷 厚志 ,  小林 良博 ,  田崎 豪治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-073408
公開番号（公開出願番号）：特開2011-204632
出願日： 2010年03月26日
公開日（公表日）： 2011年10月13日
要約：

【課題】ヒドリドを構造中に含む酸化物によって、固体中で高いイオン伝導を持つヒドリドイオン導電体を提供する。【解決手段】一般式Ln2-X MXAHyO3(式中、Lnは3価の希土類元素、Mは4価のCeまたはアルカリ土類金属元素、AはLiまたはNaを示す。Mが4価のCeであるとき、0<x<0.2、y=1+xであり、そしてMがアルカリ土類金属元素であるとき、0<x<1、y=1-xである。)で示される組成を有してなるヒドリドイオン導電体。【選択図】図7

請求項（抜粋）：

一般式Ln2-X MXAHyO3(式中、Lnは3価の希土類元素、Mは4価のCeまたはアルカリ土類金属元素、AはLiまたはNaを示す。Mが4価のCeであるとき、0<x<0.2、y=1+xであり、そしてMがアルカリ土類金属元素であるとき、0<x<1、y=1-xである。)で示される組成を有してなるヒドリドイオン導電体。

IPC (4件)：

H01B 1/06 ,  C04B 35/50 ,  C01F 17/00 ,  H01B 13/00

FI (4件)：

H01B1/06 A ,  C04B35/50 ,  C01F17/00 B ,  H01B13/00 Z

Fターム (18件)：

4G076AA02 ,  4G076AB01 ,  4G076AB02 ,  4G076BA38 ,  4G076DA04 ,  5G301CA02 ,  5G301CA16 ,  5G301CA30 ,  5G301CD01 ,  5G301CE02 ,  5H026AA06 ,  5H026EE13 ,  5H026HH05 ,  5H032AA01 ,  5H032BB02 ,  5H032CC17 ,  5H032EE01 ,  5H032EE20