特許

J-GLOBAL ID：201103091343083830

半導体装置の製造方法

発明者： 高橋 健司 ,  中吉 英夫 ,  田久 真也 ,  田窪 知章
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (7件)： 鈴江 武彦 ,  村松 貞男 ,  坪井 淳 ,  橋本 良郎 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  河井 将次
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-226502
公開番号（公開出願番号）：特開2001-053218
特許番号：特許第3792954号
出願日： 1999年08月10日
公開日（公表日）： 2001年02月23日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 半導体基板の主表面に所定の深さの開孔を形成する工程と、 前記開孔の内壁に絶縁膜を形成する工程と、 前記開孔内を導電性電極材料で埋め込む工程と、 前記半導体基板の主表面側から最終的なチップ厚よりも深いダイシング溝を形成する工程と、 前記半導体基板の裏面を前記開孔の底部及び前記ダイシング溝の底部に達しない深さまで機械的に研削する工程と、 前記半導体基板の裏面を前記開孔の底部より浅い位置までエッチングして、前記導電性電極材料を前記半導体基板の裏面から突出させ、前記半導体基板を貫通し、且つ裏面側に突起部を有する電極を形成すると共に、前記ダイシング溝に沿って前記半導体基板を分割する工程と を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 25/18 ( 200 6.01) ,  H01L 25/07 ( 200 6.01) ,  H01L 25/065 ( 200 6.01) ,  H01L 23/52 ( 200 6.01) ,  H01L 21/3205 ( 200 6.01) ,  H01L 21/301 ( 200 6.01)

FI (3件)：

H01L 25/08 Z ,  H01L 21/88 J ,  H01L 21/78 S

引用特許：

出願人引用 (2件)

• マルチチップ半導体装置、ならびにマルチチップ半導体装置用チップおよびその形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-305784   出願人：株式会社東芝
• マルチチップ・パッケージおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-189061   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション

審査官引用 (2件)

• マルチチップ半導体装置、ならびにマルチチップ半導体装置用チップおよびその形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-305784   出願人：株式会社東芝
• マルチチップ・パッケージおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-189061   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション