半導体装置とその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)： ▲角▼谷浩
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-260132
公開番号（公開出願番号）：特開2001-196582
特許番号：特許第4141095号
出願日： 2000年08月30日
公開日（公表日）： 2001年07月19日
請求項（抜粋）：

【請求項1】一導電型の半導体層上にゲート酸化膜を介して形成されたゲート電極と、前記ゲート電極の下方にのみ形成される一導電型のボディ層と、前記ゲート電極から離間されて形成される高濃度の逆導電型ソース・ドレイン層と、前記高濃度の逆導電型ソース・ドレイン層を取り囲むように形成され、前記ゲート電極の下方に形成された一導電型のボディ層に隣接する低濃度の逆導電型ソース・ドレイン層とを具備し、前記ゲート電極の下方領域において、前記ボディ層の底部は、前記低濃度の逆導電型ソース・ドレイン層の底部よりも深い位置に形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 29/78 ( 200 6.01) , H01L 21/8234 ( 200 6.01) , H01L 27/088 ( 200 6.01) , H01L 21/8238 ( 200 6.01) , H01L 27/092 ( 200 6.01)

FI (4件)：

H01L 29/78 301 D , H01L 27/08 102 B , H01L 27/08 321 C , H01L 29/78 301 S

引用特許：

出願人引用 (4件)

電界効果トランジスタおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-123685 出願人：ゴールドスターエレクトロンカンパニーリミテッド
特開平3-195063
半導体装置とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-270041 出願人：三洋電機株式会社

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審査官引用 (5件)

電界効果トランジスタおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-123685 出願人：ゴールドスターエレクトロンカンパニーリミテッド
特開平3-195063
特開平3-195063

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